코도펀트를 이용한 차세대 FET용 초고농도 Si 및 SiGe insitu 도핑 제어 기술 개발

본 과제는 차세대 FET와 strained-Si 트랜지스터에 사용되는 n 타입 실리콘과 p 타입 실리콘 게르마늄 박막을 매우 높은 농도로 성장시키는 기술을 개발하는 연구임. 코도펀트와 화학기상증착을 활용해 반도체 소자의 성능과 집적도를 높이는 기반 기술 확보가 목적임. 연구 목표는 B+Ga 코도펀트 modulation을 이용한 초고농도 p-SiGe와 P/Sb 코도펀트 modulation을 이용한 초고농도 n-Si 성장 기술 확보, FinFET 구조 적용 및 contact 저항 평가임. 핵심 연구 내용은 표면 거칠기 1 nm 미만, Ge 비율 70% 이하, 최대 도핑농도 1E21/cm3 수준의 SiGe 및 Si 박막 성장, Ge 함량과 도핑 농도 grading을 통한 defect 최소화, TEM 기반 결함 분석임. 또한 30 nm 이하 Fin 구조와 dummy gate를 포함한 테스트 플랫폼을 개발하고 TCAD 시뮬레이션으로 최신 소자구조 적용 가능성과 성능 향상을 검증함. 기대 효과는 strained-Si 트랜지스터 핵심 기술 확보, 관련 박막성장 기술 활용 확대, 반도체 산업 경쟁력 강화와 일자리 창출임.