프로젝트 소개
본 과제는 다중 자화축 강자성물질과 다중 층 스핀배열을 이용해 자화상태를 더 많이 만들어 전자소자 정보저장과 처리 성능을 높이는 연구임.
연구목표는 자화기반 자기저항 및 홀 저항을 decimal-states까지 확장해 단일소자 정보저장 용량 증가 및 효율 향상 전자소자기능을 확립하는 데 있음. 핵심 연구내용은 Fe, GaMnAs 박막을 MBE로 제작하고 Lithography 기반 마이크론 Hall 소자로 전자이송 실험을 수행해 자기이방성, 자화전환 이완, 다중자기도메인 구조를 규명하며 자화제어 및 자기결합 상호작용을 분석함. 기대효과는 binary-states에서 decimal-states bit 시스템으로 전환해 십진법 logic·processor 확장 및 decimal-states array memory 응용 원천기술 확보임.