프로젝트 소개
본 과제는 컴퓨터 저장장치와 인공지능 연산을 더 빠르게 하기 위한 신개념 메모리 ECRAM 소자를 CMOS 공정과 맞춰 만드는 연구임.
연구 목표는 Mg, Ca, Cu, O 등의 이온 교환·이동 기반 전도도 스위칭을 구현하기 위한 채널, 전해질, 이온저장층 및 전극 소재와 공정을 개발하는 데 있음. 연구 내용은 1~2차년도에 CMOS 공정호환 산소 이온 기반 ECRAM 소재·단위 소자 제작과 4K 독립 소자 어레이 통계 분석·최적화 수행, 3차년도에 3차원 수직형 소자 및 대규모 어레이 제작·특성 검증을 수행하는 것임. 기대 효과는 고속 대용량 스토리지 클래스 메모리와 딥러닝 가속기의 핵심 구성요소로 활용되어 인공지능 학습 속도와 에너지 효율이 향상될 수 있음.