프로젝트 소개
본 과제는 10nm 이하 FinFET등 3차원 반도체 소자의 열화와 신뢰성 변화를 예측해, 설계자가 회로 수준에서 성능·수명 문제를 미리 확인하도록 돕는 연구임.
연구 목표는 각 구조별(FinFET, NS-FET, NW-FET, T-FET)에서 10nm/7nm/5nm/3nm 열화 메커니즘의 경향을 분석해 통합 해석 가능한 열화 모델 및 bathtub기반 platform을 제시하고, 상용 TCAD/SPICE 툴과 인터페이스 강화로 산업체 활용 가능한 시뮬레이터를 개발하는 데 있음. 내용은 Stress/Recovery의 dynamic 특성 정합성 강화, circuit model 연계, NAND Flash retention 적용, 회로 레벨 경향 정리 및 Design Guide 작성임. 기대 효과는 infant failure와 열화 동시 해석, 7nm 대비 5nm에서 전력소모(80%), 동작속도(120%), 면적(90%) 및 신뢰성(동등수준) 달성, 대규모 열·응력 TCAD 환경 6시간 이내 구축임.