프로젝트 소개
본 과제는 환경감지용 가스센서에 쓰일 이차원 소재 기반 전계효과 트랜지스터(FET)를 개발하는 연구임.
이차원 소재(MoS2, MoTe2) Si 기판상 MOCVD 직접증착의 최적 성장 조건 및 Chemical potential 조절 기반 불순물·구조 제어를 수행하고, 8인치 대면적 고균일도 증착(단원자층 90% 이상)을 목표로 함. 또한 Transmission line model 기반 저저항 금속전극, 저온 4-Probe station 평가, 포토리소그래피 공정 최적화를 통해 FET 소자를 구현함. 반도체형 FET 타입 COx, Ox, NOx, NH3 가스 센서 공정·측정 기술을 개발해 지능형 고성능 센서 원천기술 확보 및 가스센서 소자 원천기술 수입대체·상용화 비용 절감 효과가 기대됨.