CMOS 이미지 센서용 highk passivation 유전막 개발

2020산업통상자원부소재부품산업미래성장동력(R&D)
프로젝트 소개
본 과제는 CIS 센서와 Si/유전막 소자에 적용될 단일 high-k 산화막을 설계·평가·시뮬레이션하여 성능과 신뢰성을 높이는 연구임. 연구 목표는 TCAD를 이용한 광·전기 특성 simulation 기반 CIS 특성 추출과, 단일 SiO2(Al2O3, HfO2, TiO2) high-k 유전막의 공정 최적화(screen) 및 산화막 물성·전하 파라미터(Dit, Qf, Vfb) 도출에 있음. 연구 내용은 증착/후처리(어닐링, 플라즈마, RTA) 조건 개발, FDTD 및 dispersive model 반영으로 reflection·transmission·absorption, quantum efficiency, dark current, interface trapped charge 추출, Si/유전막 MIS 구조 패턴 설계 및 수소 plasma 공정 변화로 TDDB·계면 저하·소수캐리어 수명(QSSPC) 분석을 수행함. 기대 효과는 계면 산화막 두께 최소화 및 신뢰성 동작 열화 메커니즘·결함 구조 제어 방안 제시임.
고유전율보호막유전막이미지센서전산모사highkpassivationdielectric thin filmImage Sensorsimulation
참여형태
협동
사업명
소재부품산업미래성장동력(R&D)
부처명
산업통상자원부
주관기관명
한국반도체연구조합
협동수행기관명
한양대학교산학협력단, 서울대학교산학협력단, 서울과학기술대학교 산학협력단, 인하대학교산학협력단, 성균관대학교산학협력단, 광운대학교산학협력단, 한양대학교산학협력단, 한양대학교산학협력단, 충남대학교산학협력단, 대전대학교산학협력단, 고려대학교산학협력단, 성균관대학교산학협력단, 한양대학교산학협력단, 연세대학교 산학협력단, 울산과학기술원, 인하대학교산학협력단, 영남대학교산학협력단, 연세대학교 산학협력단, 한양대학교산학협력단, 한양대학교 에리카 산학협력단, 성균관대학교산학협력단, 홍익대학교산학협력단, 전북대학교산학협력단, 포항공과대학교산학협력단, 울산과학기술원
공동/위탁수행기관명
세종대학
과제 수행연도
2020
과제 수행기간
2020.04.01 ~ 2022.12.31
과제 고유번호
1415169053
연구 개발단계
기초연구
연구비
총연구비
82,200,000 원
정부지원연구개발비
75,000,000 원
위탁연구비
0 원
민간연구비
7,200,000 원
주관/협동기관 정보
주관/협동수행기관명연구수행주체지역
협동한양대학교산학협력단대학기타
협동서울대학교산학협력단대학서울특별시
협동서울과학기술대학교 산학협력단대학기타
협동인하대학교산학협력단대학기타
협동성균관대학교산학협력단대학경기도
협동광운대학교산학협력단대학서울특별시
협동한양대학교산학협력단대학서울특별시
협동한양대학교산학협력단대학기타
협동충남대학교산학협력단대학기타
주관한국반도체연구조합기타경기도
협동대전대학교산학협력단대학기타
협동고려대학교산학협력단대학기타
협동성균관대학교산학협력단대학경기도
협동한양대학교산학협력단대학서울특별시
협동연세대학교 산학협력단대학기타
협동울산과학기술원대학울산광역시
협동인하대학교산학협력단대학인천광역시
협동영남대학교산학협력단대학기타
협동연세대학교 산학협력단대학서울특별시
협동한양대학교산학협력단대학기타
협동한양대학교 에리카 산학협력단대학기타
협동성균관대학교산학협력단대학경기도
협동홍익대학교산학협력단대학기타
협동전북대학교산학협력단대학기타
협동포항공과대학교산학협력단대학기타
협동울산과학기술원대학울산광역시
공동/위탁기관 정보1건
공동/위탁수행기관명연구수행주체참여형태공동연구비 수입금액 (원)공동연구비 지출금액 (원)
공동세종대학대학연구·기술개발-30,000,000
과제 기반 국내외 특허0건
출원/등록 기관발명의 명칭출원일자출원국가출원번호등록일자등록번호
과제 기반 SCI(E) 논문0건
논문명학술지명DOI/URL