8세대급 대면적 증착이 가능한 이동도 30cm2Vs 이상의 Ga free 산화물 TFT 소재 개발

2022산업통상자원부소재부품기술개발
프로젝트 소개
본 과제는 IGZO 조성 설계·분말·소결·타겟·TFT 소자 공정을 연계해 산화물 TFT 기초 성능을 확보하는 연구임. 연구 목표는 D50 기준 ≤ 10㎛ 분말 특성, 상대 밀도 ≥ 95%, 순도 ≥ 99.9% 소결체를 위한 IGZO 조성 소결 조건 도출 및 최적화, 그리고 Bottom gate 기반 Inverted staggered 소자 평가 기준 구축임. 핵심 연구 내용은 Spray Dry 조건으로 IGZO 구형 분말 관찰, 소결온도·유지시간·분위기 최적화 후 결정립사이즈·비저항·타겟 특성 분석, RGB laser 기반 illumination으로 광열안정성 baseline 구축, 2inch 스퍼터링 타겟 제작·IGZO 박막 증착(산소 분압, power)·TFT 이동도 및 신뢰성 평가 진행임. 기대 효과는 산화물 TFT 타겟 기초 물성 확보 및 소자 평가 특성 구현으로 2차년도 진행방향 설정 근거 제공됨.
산화물 박막 트랜지스터고이동도박막타겟소재Oxide TFTHigh MobilityThin FilmTargetmaterial
참여형태
협동
사업명
소재부품기술개발
부처명
산업통상자원부
주관기관명
엘티메탈(주)
협동수행기관명
엘티메탈(주), 엘티메탈(주)
공동/위탁수행기관명
엘지디스플레이(주), 한국전자기술연구원, 경북대학
과제 수행연도
2022
과제 수행기간
2022.09.01 ~ 2025.12.31
과제 고유번호
1415182020
연구 개발단계
개발연구
연구비
총연구비
694,480,000 원
정부지원연구개발비
490,000,000 원
위탁연구비
0 원
민간연구비
204,480,000 원
주관/협동기관 정보
주관/협동수행기관명연구수행주체지역
협동엘티메탈(주)중견기업기타
주관엘티메탈(주)중견기업인천광역시
협동엘티메탈(주)중견기업기타
공동/위탁기관 정보3건
공동/위탁수행기관명연구수행주체참여형태공동연구비 수입금액 (원)공동연구비 지출금액 (원)
공동엘지디스플레이(주)대기업연구·기술개발--
공동한국전자기술연구원기타연구·기술개발-93,000,000
공동경북대학대학연구·기술개발-68,000,000
사업화 정보1건
성과발생년도사업화내용사업화형태기술이전유형업체명당해년도매출액
20228세대급 대면적 증착이 가능한 이동도 30cm2Vs 이상의 Ga free 산화물 TFT 소재 개발기술보유자의 직접사업화_기존업체-상품화-엘티메탈 주식회사-
과제 기반 국내외 특허0건
출원/등록 기관발명의 명칭출원일자출원국가출원번호등록일자등록번호
과제 기반 SCI(E) 논문0건
논문명학술지명DOI/URL