8세대급 대면적 증착이 가능한 이동도 30cm2Vs 이상의 Ga free 산화물 TFT 소재 개발

2023산업통상자원부소재부품기술개발
프로젝트 소개
본 과제는 Ga 저감 산화물 TFT 소재를 만들어, 고성능 박막 트랜지스터 성능을 검증·향상하는 연구임. 연구 목표는 Ga 저감 신규 조성 분말 혼합 조건 도출(D50 기준 ≤ 10㎛)과 소결 기술 개발을 통해 상대 밀도 ≥97%, 순도 ≥99.95% 확보, TFT 성능에서 이동도 ≥20 cm2/Vs, ΔVTH ≤ ±2.0 V 달성에 있음. 연구 내용은 Bead mill·Spray dry 분말 공정, 소결 온도·분위기·유지시간 최적화, 4인치 타겟 제작 및 성형·비저항·결정립 평가, 박막 열처리 온도별 TFT 특성 데이터 확보와 후처리(열처리, DUV, plasma) 적용 후 XRR, XPS, AFM 분석 수행임. 기대 효과는 Ga 저감 산화물 TFT용 분말·타겟 공정 성능 최적화 및 절연체·후처리 공정 기반 소자 특성 향상에 있음.
산화물 박막 트랜지스터고이동도박막타겟소재Oxide TFTHigh MobilityThin FilmTargetmaterial
참여형태
협동
사업명
소재부품기술개발
부처명
산업통상자원부
주관기관명
엘티메탈(주)
협동수행기관명
엘티메탈(주), 엘티메탈(주)
공동/위탁수행기관명
한국전자기술연구원, 엘지디스플레이(주), 경북대학
과제 수행연도
2023
과제 수행기간
2022.09.01 ~ 2025.12.31
과제 고유번호
1415185417
연구 개발단계
개발연구
연구비
총연구비
2,193,680,000 원
정부지원연구개발비
1,535,000,000 원
위탁연구비
0 원
민간연구비
658,680,000 원
주관/협동기관 정보
주관/협동수행기관명연구수행주체지역
주관엘티메탈(주)중견기업인천광역시
협동엘티메탈(주)중견기업인천광역시
협동엘티메탈(주)중견기업인천광역시
공동/위탁기관 정보3건
공동/위탁수행기관명연구수행주체참여형태공동연구비 수입금액 (원)공동연구비 지출금액 (원)
공동한국전자기술연구원기타연구·기술개발-290,000,000
공동엘지디스플레이(주)대기업연구·기술개발--
공동경북대학대학연구·기술개발-210,000,000
사업화 정보1건
성과발생년도사업화내용사업화형태기술이전유형업체명당해년도매출액
20238세대급 대면적 증착이 가능한 이동도 30cm2Vs 이상의 Ga free 산화물 TFT 소재 개발기술보유자의 직접사업화_기존업체-상품화-엘티메탈 주식회사-
과제 기반 국내외 특허0건
출원/등록 기관발명의 명칭출원일자출원국가출원번호등록일자등록번호
과제 기반 SCI(E) 논문0건
논문명학술지명DOI/URL