프로젝트 소개
본 과제는 CNT 페이스트와 arc-CNT, 대면적 냉전자빔 소스를 활용해 parallel X-ray와 UVC-LED 활성화 기술을 개발하는 연구임.
연구 목표는 기판 접착력이 우수하고 50 A/cm2 이상 고전류 방출이 가능한 5 cm 냉전자빔 소스, 저직경·고산화온도 arc-CNT, 0.03 mm focal spot size의 parallel X-ray, UVC-LED p-type AlGaN층 Mg-H 해리 및 p도핑 활성화 구현에 있음. 핵심 연구 내용은 Si·Ge filler, AlN·BN 첨가, B·Cs·P 도핑, Opera 3D 및 Monte-Carlo simulation 기반 최적 설계임. 기대 효과는 X-ray imaging 해상도 향상, UVC-LED 광효율 증대, 국내 냉전자원 및 관련 산업 경쟁력 강화임.