휴미스트

차세대 반도체 패터닝 용 영역 선택적 원자층 증착 공정을 위한 기상 자기조립 레지스트 소재 및 공정개발

2022중소벤처기업부창업성장기술개발
프로젝트 소개
본 과제는 차세대 반도체 회로를 그리는 '패터닝' 공정에서, 원하는 부분에만 물질을 정밀하게 쌓는 '영역 선택적 원자층 증착' 기술 개발을 목표로 함. 이를 위해 기체 상태에서 특정 영역에만 선택적으로 결합하는 '자기조립 레지스트 소재'와 관련 공정을 개발하는 연구임. 연구 목표는 기상 공정에 적합하고 열적/화학적으로 안정하며 3D 구조 소자 기판에 선택적 결합이 가능한 자기조립 물질(SAM resist)을 개발하고, 이를 활용한 선택적 원자층 증착 공정을 개발하는 것임. 핵심 연구 내용은 기하학적 구조가 작고 휘발성이 높은 SAM resist를 개발하여, 3D 구조 기판에 선택적으로 결합하고 연속적인 원자층 증착 공정에 적합하도록 하는 데 있음. 더불어, 금속산화물 및 금속질화물 기판과 결합 가능한 SAM resist의 특성 평가를 통한 공정 개발을 추진함. 기대 효과는 현 공정 미세화 한계 극복을 위한 원천기술 확보를 통해 기술 사업화를 가속화하고, 국내 반도체 소재 및 패터닝 시장을 확장하여 해외 의존도를 낮추며, 새로운 시장을 선점하는 데 기여할 것으로 예상됨.
자기조립물질원자층 증착기술패터닝선택영역적 증착반도체self assembled monolayeratomic layer depositionsemiconductorpatternigselective area deposition
참여형태
주관
사업명
창업성장기술개발
부처명
중소벤처기업부
주관기관명
(주)휴미스트
공동/위탁수행기관명
한양대학
과제 수행연도
2022
과제 수행기간
2021.11.01 ~ 2022.10.31
과제 고유번호
1425163103
연구 개발단계
개발연구
연구비
총연구비
73,400,000
정부지원연구개발비
60,000,000
위탁연구비
25,000,000
민간연구비
13,400,000
주관/협동기관 정보
주관/협동수행기관명연구수행주체지역
주관(주)휴미스트중소기업대전광역시
공동/위탁기관 정보1건
공동/위탁수행기관명연구수행주체참여형태공동연구비 수입금액 (원)공동연구비 지출금액 (원)
위탁한양대학대학---
과제 기반 국내외 특허0건
출원/등록 기관발명의 명칭출원일자출원국가출원번호등록일자등록번호
과제 기반 SCI(E) 논문0건
논문명학술지명DOI/URL