프로젝트 소개
본 과제는 물질의 상태 변화를 이용해 데이터를 저장하는 상변화 메모리와 멤리스터의 성능을 높이는 연구임. 메모리 소자에서 발생하는 열이 주변으로 퍼지면 데이터 오류와 전력 손실이 발생할 수 있으므로, 헤테로 구조를 활용해 열의 이동을 조절하고 초저전력·고성능 메모리를 구현하는 과제임.
연구 목표는 열 확산 제어를 통한 헤테로 구조 기반의 초저전력, 고성능 상변화 메모리/멤리스터 소자 개발임. 핵심 연구 내용은 열전 효과를 이용한 열 확산 제어 메커니즘 규명, 소자 및 어레이 시뮬레이션, 상변화 메모리 물질과 구조 최적화, self-selecting 메커니즘 및 1S1R 선택 소자 개발임. 또한 열 간섭을 줄인 32×32 고집적 상변화 메모리 어레이 제작과 시냅스 특성 확보를 추진함. 기대 효과는 기존 SCM 대비 성능과 집적도를 높이고, In-Memory Computing, AI 가속기, Database 및 뉴로모픽 아키텍처에 활용 가능한 차세대 메모리 원천기술 확보임.