차세대 디스플레이용 TFT 백플레인 기술

2012지식경제부전자정보디바이스산업원천기술개발
프로젝트 소개
본 과제는 대면적 AMOLED Backplane과 고해상도 Flexible Display 구동에 쓰일 TFT를 만들기 위한 공정·소자·신뢰성 평가 기술을 개발하는 연구임. 연구 목표는 박막 특성 및 TFT 신뢰성 평가를 바탕으로 △Vth < 0.5 V, 30 cm2/Vs 이상 고이동도 TFT 구현, quatenary 산화물 조성 및 In-free ZnSnO 조성계 타겟 개발, 100℃ 이하 저온 증착 RPB-CVD/Cat-CVD 기반 Si/n+ Si 박막 공정과 inverted staggered μc-Si TFT 제작임. 기대 효과는 산화물 반도체 소재 기술로 실리콘 TFT 대체 가능성을 높여 AMOLED, HDTV, 투명전극, TFT-LCD, Flexible 디스플레이 등 제품 적용 확산 전망임.
나노/마이크로 크리스탈 실리콘인큐베이션층고밀도 플라즈마활성입자빔(RPB)촉매화학기상증착Nano/Micro Crystalline SiliconIncubation LayerHigh Density PlasmaReactive Particle BeamCatalytic CVD
참여형태
주관
사업명
전자정보디바이스산업원천기술개발
부처명
지식경제부
주관기관명
한국디스플레이연구조합
공동/위탁수행기관명
국가핵융합연구소, 순천대학, 고려대학, 호서대학, 청주대학, 서울시립대학, 인하대학, 전자부품연구원, 경희대학
과제 수행연도
2012
과제 수행기간
2009.03.01 ~ 2013.02.28
과제 고유번호
1415122214
연구 개발단계
기초연구
연구비
총연구비
1,236,000,000 원
정부지원연구개발비
1,236,000,000 원
위탁연구비
0 원
민간연구비
0 원
주관/협동기관 정보
주관/협동수행기관명연구수행주체지역
주관한국디스플레이연구조합기타서울특별시
공동/위탁기관 정보9건
공동/위탁수행기관명연구수행주체참여형태공동연구비 수입금액 (원)공동연구비 지출금액 (원)
공동국가핵융합연구소출연연구소연구·기술개발-30,000,000
공동순천대학대학연구·기술개발-60,000,000
공동고려대학대학연구·기술개발-302,000,000
공동호서대학대학연구·기술개발-90,000,000
공동청주대학대학연구·기술개발-439,000,000
공동서울시립대학대학연구·기술개발-40,000,000
공동인하대학대학연구·기술개발-40,000,000
공동전자부품연구원기타연구·기술개발-100,000,000
공동경희대학대학연구·기술개발-85,000,000
과제 기반 국내외 특허0건
출원/등록 기관발명의 명칭출원일자출원국가출원번호등록일자등록번호
과제 기반 SCI(E) 논문0건
논문명학술지명DOI/URL