프로젝트 소개
본 과제는 외부양자효율 20% 이상을 달성하는 플립칩 구조의 자외선 마이크로LED 에피칩을 개발하는 연구임. 이는 디스플레이뿐 아니라 다양한 첨단 산업 분야에 활용될 수 있는 차세대 광원 기술 개발을 목표로 함.
연구 목표는 900 μm2 이하 LED 칩 소자 제작 공정 및 설계를 확보하고, 에피 웨이퍼 파장균일도 ±4 nm 에피 성장 기술과 결함 밀도 개선 기술을 확보하는 데 있음. 또한 마이크로LED 전기광학적 분석을 위한 Array 제작 공정 개발 및 자외선 마이크로LED 에피와 칩의 광특성 분석을 수행하는 정임. 핵심 연구 내용은 고밀도 LED array chip의 상호 간섭 연구를 통한 process 설계 최적화, 파장 균일도 및 결함 밀도 개선을 위한 에피 성장 조건 최적화, 그리고 누설 전류 특성 향상 연구임. 자외선 마이크로LED 에피 및 칩 웨이퍼의 고속PL기반 다중광원 광분석과 칩 특성 상관관계 분석 또한 포함함. 기대 효과는 자외선 마이크로LED 칩이 디스플레이는 물론 통신, 환경, 안전, 의료, 바이오 등 신산업 분야에 활용 가능하며, 신기술 개발을 통해 생산 및 기술 경쟁력을 확보함. 이를 통해 독창적인 광원 및 RGB 화소 제조 방식 확보로 글로벌 기술격차를 극복하고 국내 디스플레이 산업 기술 경쟁력 향상에 크게 기여할 것으로 전망됨.