프로젝트 소개
본 과제는 재료를 자르거나 가공할 때 사용하는 고출력 레이저의 핵심 부품인 레이저 다이오드를 개발하는 연구임. 975nm 적외선 레이저다이오드와 450nm 청색 레이저다이오드의 출력과 수명을 높여 산업용 레이저 장비에 적용하기 위한 기술 개발임.
연구 목표는 975nm 22W급 LD칩과 150W급 LD Bar, 450nm 1W급 LD칩 제조기술 확보임. 핵심 연구 내용은 MOCVD 성장기법 기반 에피 Wafer 설계·성장, Multi-QW 구조 및 방열설계, Bar cleaving, Facet passivation, AR/HR mirror coating 공정 개발임. 또한 LD 단일 칩·바칩 공정 표준화, 신뢰성 평가, InGaN QW와 AlGaN on GaN의 strain 제어, 전기광학적 성능 측정 시스템 구축을 추진함. 기대 효과는 975nm LD의 60% 이상 광전변환효율과 15,000시간 이상 수명, 450nm LD의 10,000시간 이상 수명 확보 및 고출력 가공용 레이저 부품 국산화와 산업 적용 확대임.
협동수행기관명
알에프머트리얼즈(주), (주)옵토웰, (주)이상테크
공동/위탁수행기관명
한국에너지공과대학, 한국전자통신연구원, 인하대학, 한양대학, 한국광기술원, (주)소프트에피
과제 수행기간
2021.04.01 ~ 2025.03.31