64 레벨 초고용량 낸드 플래시 메모리 개발을 위한 소자 및 설계 핵심 요소 기술 개발

2022산업통상자원부전자부품산업기술개발(R&D)
프로젝트 소개
본 과제는 3D NAND 플래시에서 64 레벨 등 멀티 스테이트를 더 안정적으로 프로그램/지우기하고, 센싱 잡음과 데이터 보존성 열화를 줄이기 위한 연구임. 요약문_연구목표는 고 이동도 이차원 TMD 채널 소재 발굴, 채널/절연 계면 트랩 및 양자점 전하 저장층 기반 메모리 소자 제작, 그리고 Narrow Vth 산포·RTN 포함 Noise 성분을 고려한 low noise(High resolution) 센싱 회로 제안에 있음. 요약문_연구내용은 두께별 에너지 밴드갭·low frequency noise로 트랩 밀도 간접 분석, Fowler-Nordheim(FN) 터널링과 전하 손실 메커니즘 시뮬레이션, 회로 관점 power/ground noise 및 PSRR 개선 구조·보상 회로 검증 수행임. 요약문_기대효과는 고 전류 확보와 정확한 센싱으로 back pattern dependency 및 멀티 스테이트 센싱 문제를 함께 완화함.
낸드 플래시멀티레벨신뢰성저잡음양자점 전하 저장층NAND FlashMultilevelReliabilityLow noiseQuantum dot charge storage layer
참여형태
협동
사업명
전자부품산업기술개발(R&D)
부처명
산업통상자원부
주관기관명
(사)한국반도체연구조합
협동수행기관명
호서대학, 한양대학, 성균관대학, 인하대학, 한양대학, 나노종합기술원, 한양대학, 한국과학기술원, 서울과학기술대학, 경북대학, (재)한국표준과학연구원, 서울대학, 인천대학, 한양대학, 연세대학, 한양대학, 한양대학, 전남대학, 서울대학, 동국대학, 이화여자대학, 연세대학, 연세대학, 성균관대학, (재)한국표준과학연구원, 한국산업기술대학, 한양대학, 서울과학기술대학, 아주대학, 충남대학, 연세대학, 한국과학기술원, 성균관대학, 영남대학
공동/위탁수행기관명
가천대학, 광운대학
과제 수행연도
2022
과제 수행기간
2022.04.01 ~ 2024.12.31
과제 고유번호
1415180804
연구 개발단계
응용연구
연구비
총연구비
196,330,000 원
정부지원연구개발비
150,000,000 원
위탁연구비
0 원
민간연구비
46,330,000 원
주관/협동기관 정보
주관/협동수행기관명연구수행주체지역
협동호서대학대학기타
협동한양대학대학기타
협동성균관대학대학경기도
협동인하대학대학인천광역시
협동한양대학대학기타
협동나노종합기술원출연연구소대전광역시
협동한양대학대학서울특별시
협동한국과학기술원대학기타
협동서울과학기술대학대학기타
협동경북대학대학기타
협동(재)한국표준과학연구원출연연구소대전광역시
협동서울대학대학기타
협동인천대학대학기타
협동한양대학대학기타
협동연세대학대학서울특별시
협동한양대학대학기타
협동한양대학대학경기도
주관(사)한국반도체연구조합기타경기도
협동전남대학대학기타
협동서울대학대학기타
협동동국대학대학기타
협동이화여자대학대학기타
협동연세대학대학기타
협동연세대학대학기타
협동성균관대학대학기타
협동(재)한국표준과학연구원출연연구소기타
협동한국산업기술대학대학기타
협동한양대학대학기타
협동서울과학기술대학대학기타
협동아주대학대학기타
협동충남대학대학기타
협동연세대학대학서울특별시
협동한국과학기술원대학기타
협동성균관대학대학경기도
협동영남대학대학기타
공동/위탁기관 정보2건
공동/위탁수행기관명연구수행주체참여형태공동연구비 수입금액 (원)공동연구비 지출금액 (원)
공동가천대학대학연구·기술개발-50,000,000
공동광운대학대학연구·기술개발-50,000,000
과제 기반 국내외 특허0건
출원/등록 기관발명의 명칭출원일자출원국가출원번호등록일자등록번호
과제 기반 SCI(E) 논문0건
논문명학술지명DOI/URL