뉴로몰픽 시냅스 어레이 적용을 위한 크로스포인트 선택소자 임계전압 조절기술 개발

2021산업통상자원부전자부품산업기술개발(R&D)
프로젝트 소개
본 과제는 Te 기반 chalcogenide 선택소자의 threshold switching 특성을 조절해, 누설 전류를 줄이고 임계전압을 원하는 값으로 맞추는 선택소자 제작 및 분석 연구임. 연구 목표는 VTH tunability 1V, VH tunability 0.5V, Selectivity 10^3, endurance 10^9 달성을 위한 dopant 영향 및 계면 특성 규명임. 연구 내용은 N, Bi, Sb 등 도핑과 Ag/Cu 전극, amorphous/crystalline phase, chalcogenide alloy, lithography·공정 최적화로 trap states·trap compensation(Ag doping)을 분석함. 또한 밀도 범함수 이론 계산과 XPS/UPS/Optical spectroscopy·PL/TEM 통해 결함 생성 에너지, charge transfer, 일함수 변조를 계면 모델로 해석함. 기대 효과는 계면 및 도핑으로 VTH·VH shift 가능성과 VTH·VH 조절 기구를 확정해 소자 성능 향상에 기여하는 정임
칼코게나이드선택소자임계전압 조절제일원리밀도 범함수 이론 계산열안정성ChalcogenideSelector deviceTunable threshold voltageAbinitio density functional theory (DFT) calculationThermal stability
참여형태
협동
사업명
전자부품산업기술개발(R&D)
부처명
산업통상자원부
주관기관명
(사)한국반도체연구조합
협동수행기관명
성균관대학, 인하대학, 울산과학기술원, 한양대학, 한양대학, 한양대학, 인하대학, 고려대학, 한양대학, 영남대학, 성균관대학, 광운대학, 울산과학기술원, 대전대학, 서울대학, 충남대학, 한양대학, 전북대학, 서울과학기술대학, 성균관대학, 포항공과대학, 홍익대학, 한양대학, 연세대학, 연세대학
공동/위탁수행기관명
서울시립대학, 서울시립대학
과제 수행연도
2021
과제 수행기간
2020.04.01 ~ 2022.12.31
과제 고유번호
1415173316
연구 개발단계
기초연구
연구비
총연구비
154,060,000 원
정부지원연구개발비
100,000,000 원
위탁연구비
0 원
민간연구비
54,060,000 원
주관/협동기관 정보
주관/협동수행기관명연구수행주체지역
협동성균관대학대학경기도
협동인하대학대학기타
협동울산과학기술원대학울산광역시
협동한양대학대학기타
협동한양대학대학서울특별시
협동한양대학대학서울특별시
협동인하대학대학인천광역시
협동고려대학대학기타
협동한양대학대학기타
협동영남대학대학기타
협동성균관대학대학경기도
협동광운대학대학서울특별시
협동울산과학기술원대학울산광역시
협동대전대학대학기타
협동서울대학대학서울특별시
협동충남대학대학기타
주관(사)한국반도체연구조합기타경기도
협동한양대학대학기타
협동전북대학대학기타
협동서울과학기술대학대학기타
협동성균관대학대학경기도
협동포항공과대학대학기타
협동홍익대학대학기타
협동한양대학대학기타
협동연세대학대학서울특별시
협동연세대학대학기타
공동/위탁기관 정보2건
공동/위탁수행기관명연구수행주체참여형태공동연구비 수입금액 (원)공동연구비 지출금액 (원)
공동서울시립대학대학연구·기술개발-27,500,000
공동서울시립대학대학연구·기술개발-27,500,000
과제 기반 국내외 특허0건
출원/등록 기관발명의 명칭출원일자출원국가출원번호등록일자등록번호
과제 기반 SCI(E) 논문0건
논문명학술지명DOI/URL