초고층 3D NAND 메모리를 위한 고이동도 채널/유전막 신소재 개발 및 AI 기반 대규모 해석 플랫폼 구축

2024산업통상자원부민관공동투자반도체고급인력양성사업(R&D)
프로젝트 소개
본 과제는 메모리 저장 공간을 크게 늘리기 위해 여러 층을 수직으로 쌓는 초고층 3D NAND 메모리의 성능과 집적도를 높이는 신소재 및 공정 기술을 개발하는 연구임. 특히 고이동도 채널 물질과 기능성 강유전체를 활용하고, AI를 통해 메모리 특성과 공정 결과를 빠르고 정확하게 분석하는 기술 개발임. 연구 목표는 500단 이상 3D NAND 메모리 셀의 고성능·고집적화와 초고층 구조의 신뢰성 확보임. 핵심 연구 내용은 차세대 유전막·채널 구조의 게이트 스택 공정과 동작 기법 개발, 기능성 강유전체를 적용한 NC-NAND 및 Hybrid-NAND 소자 개발, 3D 집적 모듈 공정과 셀 스케일링 기술 개발임. 또한 메모리 변동성·신뢰성 분석 및 모델링, AI 기반 어레이 동작 최적화와 대규모 해석 플랫폼 구축을 추진함. 기대 효과는 신소재 기반 3D NAND의 물리적 한계 돌파, 개발 시간과 분석 비용 단축, 국내 반도체 산업의 기술 경쟁력 및 차세대 3D NAND 관련 IP 확보임.
고이동도 채널 물질메모리 스케일링 기술초고층 3D NAND 메모리 집적 모듈 공정메모리 동작 기법 최적화AI 기반 변동성 컴팩트 모델링 해석 플랫폼High mobility channel materialsMemory scaling technologyUltrahigh 3D NAND memory integrated module processOptimization for scheme of memory operationsAI-based analysis platform for variability and compact modeling
참여형태
주관
사업명
민관공동투자반도체고급인력양성사업(R&D)
부처명
산업통상자원부
주관기관명
포항공과대학
공동/위탁수행기관명
한국과학기술원, 서울시립대학
과제 수행연도
2024
과제 수행기간
2023.04.01 ~ 2027.12.31
과제 고유번호
2410000213
연구 개발단계
응용연구
연구비
총연구비
341,547,000
정부지원연구개발비
300,000,000
위탁연구비
0
민간연구비
41,547,000
주관/협동기관 정보
주관/협동수행기관명연구수행주체지역
주관포항공과대학대학경상북도
공동/위탁기관 정보2건
공동/위탁수행기관명연구수행주체참여형태공동연구비 수입금액 (원)공동연구비 지출금액 (원)
공동한국과학기술원대학기술이전 및 사업화23,134,000150,000,000
공동서울시립대학대학기술이전 및 사업화9,600,00050,000,000
과제 기반 국내외 특허0건
출원/등록 기관발명의 명칭출원일자출원국가출원번호등록일자등록번호
과제 기반 SCI(E) 논문0건
논문명학술지명DOI/URL