CMOS 이미지 센서용 highk passivation 유전막 개발

2021산업통상자원부전자부품산업기술개발(R&D)
프로젝트 소개
본 과제는 하이브리드 SiO2/Al2O3, SiO2/HfO2, HfO2-Al2O3 적층 high-k 유전막을 MIS 및 CIS 구조에 적용해 공정-계면 트랩을 정량적으로 제어하는 연구임. 연구목표는 증착 조건 및 후처리(어닐링, 플라즈마, RTA) 최적화와 MIS 게이트 스택 계면특성 플랫폼 구축, trap 특성과 신뢰성의 상관관계 확보에 있음. 연구내용은 반사도·밀도·거칠기 추출, Charge pumping·C-V·1/f noise 기반 trap 추출 최적 플랫폼 설정, stress time에 따른 계면 trap 밀도/분포 측정 수행이며, TCAD calibration으로 interface/bulk trap을 반영한 CIS 시뮬레이션 신뢰성 확보 및 Trap density-Parameter modeling 정량 목표 설정임. 기대효과는 소수캐리어 수명 0.5 ms, fixed oxide charge Qf 1x1012 (/eV.cm2) 이상 유전막 개발과 신뢰성 목표치 정량 달성임.
고유전율보호막유전막이미지센서전산모사highkpassivationdielectric thin filmImage Sensorsimulation
참여형태
협동
사업명
전자부품산업기술개발(R&D)
부처명
산업통상자원부
주관기관명
(사)한국반도체연구조합
협동수행기관명
성균관대학, 인하대학, 울산과학기술원, 한양대학, 한양대학, 한양대학, 인하대학, 고려대학, 한양대학, 영남대학, 성균관대학, 광운대학, 울산과학기술원, 대전대학, 서울대학, 충남대학, 한양대학, 전북대학, 서울과학기술대학, 성균관대학, 포항공과대학, 홍익대학, 한양대학, 연세대학, 연세대학
공동/위탁수행기관명
세종대학, 세종대학
과제 수행연도
2021
과제 수행기간
2020.04.01 ~ 2022.12.31
과제 고유번호
1415173361
연구 개발단계
기초연구
연구비
총연구비
109,600,000 원
정부지원연구개발비
100,000,000 원
위탁연구비
0 원
민간연구비
9,600,000 원
주관/협동기관 정보
주관/협동수행기관명연구수행주체지역
협동성균관대학대학경기도
협동인하대학대학기타
협동울산과학기술원대학울산광역시
협동한양대학대학기타
협동한양대학대학서울특별시
협동한양대학대학서울특별시
협동인하대학대학인천광역시
협동고려대학대학기타
협동한양대학대학기타
협동영남대학대학기타
협동성균관대학대학경기도
협동광운대학대학서울특별시
협동울산과학기술원대학울산광역시
협동대전대학대학기타
협동서울대학대학서울특별시
협동충남대학대학기타
주관(사)한국반도체연구조합기타경기도
협동한양대학대학기타
협동전북대학대학기타
협동서울과학기술대학대학기타
협동성균관대학대학경기도
협동포항공과대학대학기타
협동홍익대학대학기타
협동한양대학대학기타
협동연세대학대학서울특별시
협동연세대학대학기타
공동/위탁기관 정보2건
공동/위탁수행기관명연구수행주체참여형태공동연구비 수입금액 (원)공동연구비 지출금액 (원)
공동세종대학대학연구·기술개발-40,000,000
공동세종대학대학연구·기술개발-40,000,000
과제 기반 국내외 특허0건
출원/등록 기관발명의 명칭출원일자출원국가출원번호등록일자등록번호
과제 기반 SCI(E) 논문0건
논문명학술지명DOI/URL