프로젝트 소개
본 과제는 고전류 전자빔 소스와 UVC-LED 성능을 동시에 높이기 위한 소재·소자 원천기술 개발 연구임. 평면형 CNT 전자빔 소스, 고품질 arc-CNT, parallel X-ray, UVC-LED p-type AlGaN 활성화를 하나의 흐름으로 연결한 연구임.
연구 목표는 50 A/cm2 이상의 전자 방출, 1,000 °C 이상 산화온도, 5 cm parallel X-ray, UVC-LED 발광효율 20% 이상 향상 달성임. 핵심 연구 내용은 CNT 페이스트 조성 최적화와 Kovar 기판 접착 강화, AlN·BN 첨가를 통한 열 방출 효율 극대화, B·Cs·P 도핑 arc-CNT 합성, collimator 최적화에 의한 0.03 mm focal spot size 구현, 전자빔 조사에 의한 Mg-H complex 해리와 Mg dopant 활성화임. 기대 효과는 전계방출 및 X-ray 분야의 세계적 경쟁력 확보와 UVC-LED 상용화 확장 기반 마련임.