프로젝트 소개
본 과제는 Sn 산화물 반도체의 p형/가역적 도핑을 정밀 제어하고, 이를 바탕으로 고민감성·프로그램 가능한 소자 응용을 추진하는 연구임. 산화물 반도체의 격자 구조와 전자 동역학을 함께 규명하여 도핑 원리와 소자 특성을 연결하는 기초-응용 융합 과제임.
연구 목표는 hole 이동도 > 10 cm^(2)/Vsec, 구동온도 < 150 ºC, 가역적 도펀트 변화량(Δn) > 10^(19) cm^(-3) 달성에 있음. 핵심 연구 내용은 전산재료과학 기반 p-type 도펀트 탐색, STEM 기반 원자 레벨 구조 분석, 펨토초 분광법 기반 전하 동역학 규명, 이종접합 광소자 및 밴드 프로그래밍 소자 구현임. 기대 효과는 저전력·초민감성·실시간 재구성 가능한 산화물 반도체 소자 기술 확보와 산업적 파급효과 창출임.