차세대 하이브리드 본딩용 다층 구리 재배선 및 저저항 복합 배선 EP/ALD 융합공정 개발

2023과학기술정보통신부차세대지능형반도체기술개발(소자)
프로젝트 소개
본 과제는 차세대 반도체의 초미세 배선과 이종 집적 접합을 구현하기 위한 저저항 배선 소재 및 ALD/EP 융합공정 개발 연구임. 연구 목표는 Ru, Mo 기반 극박막의 낮은 비저항 확보, 영역선택적 증착과 원자층에칭, 복합배선 EP 소재 개발, 다층 구리 재배선 기술, 접합부 신뢰성 향상에 있음. 핵심 연구 내용은 Mo, Ru 전구체와 환원제 조합의 ALD 공정, Cu EP 및 전해연마 용액 개발, CMP-less 평탄화, 2㎛/2㎛ L/S 다층 미세 구리 배선과 4층 재배선 인터포저 제작, 열싸이클 신뢰성 평가임. 기대 효과는 RC delay 저감, FOWLP/PLP·AiP·2.x D 인터포저 적용 확대, 국내 패키지 및 기판 산업 경쟁력 강화, 반도체 설계 단계 신뢰성 예측 고도화에 있음.
패키징금속 배선재배선원자층증착법도금packagingmetal lineredistribution layeratomic later depositionelectroplating
참여형태
주관
사업명
차세대지능형반도체기술개발(소자)
부처명
과학기술정보통신부
주관기관명
한양대학
공동/위탁수행기관명
울산과학기술원, 아주대학, 서울과학기술대학
과제 수행연도
2023
과제 수행기간
2023.04.01 ~ 2025.12.31
과제 고유번호
1711196379
연구 개발단계
응용연구
연구비
총연구비
750,000,000 원
정부지원연구개발비
750,000,000 원
위탁연구비
0 원
민간연구비
0 원
주관/협동기관 정보
주관/협동수행기관명연구수행주체지역
주관한양대학대학경기도
공동/위탁기관 정보3건
공동/위탁수행기관명연구수행주체참여형태공동연구비 수입금액 (원)공동연구비 지출금액 (원)
공동울산과학기술원대학연구·기술개발-75,000,000
공동아주대학대학연구·기술개발-75,000,000
공동서울과학기술대학대학연구·기술개발-150,000,000
과제 기반 국내외 특허0건
출원/등록 기관발명의 명칭출원일자출원국가출원번호등록일자등록번호
과제 기반 SCI(E) 논문0건
논문명학술지명DOI/URL