실리콘 게이티드 다이오드를 이용한 이진화 신경망 회로

TRL 4
2026 등록

이 특허는 실리콘으로 만든 작은 전자소자를 여러 개 연결해, 데이터를 기억하면서 곱셈과 덧셈을 한 자리에서 처리하는 인공지능 반도체 회로입니다. 입력 신호와 가중치를 전류로 계산해 별도 활성화 회로의 부담을 줄이고 기존 CMOS 공정과의 호환성을 활용할 수 있는 이진화 신경망 특허입니다.

특허 개요

본 특허는 실리콘 소자를 배열로 연결해 기억과 신경망 연산을 함께 수행하는 이진화 신경망 회로입니다. 각 실리콘 게이티드 다이오드는 애노드·캐소드 사이 채널의 포텐셜 장벽을 게이트 전압으로 조절하고, 양성 피드백 루프(positive feedback loop)로 전하를 축적해 두 개의 메모리 상태를 형성합니다. 이 소자를 병렬 메모리 어레이의 시냅스로 연결하면 입력 라인·가중치 라인·출력 라인에서 이진 가중치 곱셈과 전류 합산 기반 MAC 연산을 수행합니다.

  • 핵심 기능

가중치 업데이트 신호로 각 실리콘 게이티드 다이오드의 메모리 상태를 설정하고, 입력 라인에 인가된 전압에 따라 가중치 상태별 출력 전류를 생성합니다. 공통 출력 라인에서는 복수 소자의 전류를 합산해 벡터-행렬 곱을 포함한 MAC 연산을 수행하며, 가중치 1 상태의 ReLU 유사 전류 특성을 활성화 기능에 활용합니다.

  • 차별 강점

기존 폰 노이만 구조는 프로세서와 메모리 사이의 데이터 이동으로 병목과 에너지 소모가 발생하며, 일부 신경망 회로는 별도 활성화 회로를 필요로 합니다. 본 특허는 실리콘 게이티드 다이오드 하나에 메모리·스위칭·ReLU 유사 활성화 특성을 결합하고, 이진 시냅스 어레이에서 연산하도록 구성한 점에서 차별성이 있습니다.

  • 활용 범위

기술·연구 측면에서는 로직 인 메모리, 뉴로모픽 AI 하드웨어, 이진화 신경망, 벡터-행렬 곱 연산 가속기 분야에 활용 가능하며, 실리콘 기반 시냅스 소자와 어레이 회로 설계 연구로 확장할 수 있습니다. 사업 측면에서는 저전력 엣지 AI 반도체, 인메모리 컴퓨팅 칩, AI 추론 가속기 및 팹리스 회로 IP 개발로 확장할 수 있습니다.

연구 개발 단계

TRL 1
기초 원리
TRL 2
개념 정립
TRL 3
개념 검증
TRL 4
실험실 검증
TRL 5
유사 환경
TRL 6
시제품
TRL 7
실증
TRL 8
인증완료
TRL 9
사업화
TRL4단일 소자와 소규모 메모리 어레이에서 전기적 MAC 동작을 확인한 단계입니다.
현재 검증 내용

실리콘 게이티드 다이오드 단일 소자의 래치업·메모리 상태와 이진 가중치 곱 연산을 전기적으로 확인하고, 4×1 및 2×2 어레이에서 출력 전류 합산과 벡터-행렬 MAC 동작을 제시했습니다. 대규모 어레이의 수율·소자 편차·재현성, CMOS 집적 공정, 장기 신뢰성, 실제 AI 작업 정확도는 확인되지 않았습니다.

검증 환경

- 검증 소자: 실리콘 게이티드 다이오드 단일 소자 및 4×1·2×2 메모리 어레이
- 비교 조건: 가중치 1 상승 상태와 가중치 0 하강 상태, 입력 조합별 출력 전류

- 구동 조건: 가중치 업데이트 VIN=2V 또는 -2.0V·VW=0V, 대기·곱셈 VW=1V, 연속 입력 VIN=1.1~2.0V

현재 성과

성능·효과
메모리 상태 전류비약 10⁸

게이트 전압 VW=1V 조건에서 애노드 전압 증가 시 약 2.5V에서 캐소드 전류가 급격히 증가하고, 전압 감소 시 약 1V에서 양성 피드백 상태가 해제되는 특성이 제시됐습니다. 상태 1과 상태 0의 전류 크기 비율을 이용해 이진 시냅스 가중치 상태를 구분합니다.

검증·신뢰
단일 소자 및 소규모 어레이 MAC 동작 검증

단일 소자에서 가중치 1 상태는 입력 전압에 비례하는 출력 전류를, 가중치 0 상태는 매우 낮은 출력 전류를 보이는 곱 연산을 확인했습니다. 4×1 어레이의 전류 합산과 2×2 어레이의 입력 조합별 벡터-행렬 MAC 동작도 전기적 조건에서 검증했습니다.

차별성·독창성
메모리·스위칭·활성화를 통합한 실리콘 시냅스 구조

비휘발성 메모리 기반 로직 인 메모리는 비실리콘 물질, 공정 복잡성, 소자 균일성 및 안정성 문제가 제기돼 왔습니다. 본 특허는 양성 피드백 래치업과 게이트 전압 임계값 제어를 이용해 실리콘 게이티드 다이오드 어레이에서 이진 가중치 MAC과 ReLU 유사 자기 활성화를 수행하도록 구성했습니다.

상용화까지 남은 부분

1

대규모 어레이에서의 수율, 소자 특성 편차 및 동작 재현성 검증

2

CMOS 집적 공정 적용 시 어레이 형성, 배선 및 회로 인터페이스 검증

3

장기 신뢰성, 전력 소모, 동작 속도 및 실제 AI 작업 정확도 실증

기술 이전 형태·도입 과정

기술양도
전용실시권
통상실시권
공동 과제 수행
기술지도·자문

도입은 이렇게 진행됩니다.

1

검토 미팅

귀사 상황·데이터 구조 기준으로 적합성을 논의합니다. 자료 검토만으로 끝나도 됩니다.

2

PoC 공동 검증

연구팀 동행 하에 귀사 데이터 기준 재학습·성능을 확인합니다.

3

라이센싱 계약

PoC 결과를 기반으로 희망 형태(실시권·공동연구 등)를 협의합니다.

4

기술지도·후속

도입 초기 기술지도, 필요 시 후속 공동연구·정부과제 연계까지 진행합니다.

특허 정보

발명의 명칭(KR)

실리콘 게이티드 다이오드를 이용한 이진화 신경망 회로

출원번호

10-2023-0114457 (2023.08.30)

공개번호

1020250032103 (2025.03.07)

등록번호

1029268080000 (2026.02.09)

발명자

김상식, 조경아, 신연우

권리자

고려대학교 산학협력단

출원인

고려대학교 산학협력단

문의

담당자이준구
이메일jg.lee@rndcircle.io
연락처010-8978-6417