ASRL(Advanced Semiconductor Research Laboratory, 차세대 반도체 소자 연구실)은 건국대학교 전기전자공학부에 소속된 연구실로, 차세대 로직 및 메모리 소자, 응용 회로 개발, 컴팩트 모델링, 소자 신뢰성 분석 등 반도체 분야의 핵심 기술을 선도적으로 연구하고 있습니다. 본 연구실은 터널링 전계효과 트랜지스터(TFET), 게이트 올 어라운드(GAA) 구조, 나노시트 FET, 페로일렉트릭 소자 등 첨단 반도체 소자의 설계와 동작 원리 규명에 중점을 두고 있습니다. 특히, TCAD 기반의 시뮬레이션과 실험적 검증을 통해 소자의 전기적, 열적, 신뢰성 특성을 정밀하게 분석하고, 이를 바탕으로 소자 구조의 최적화 및 새로운 소자 설계 가이드라인을 제시합니다. 또한, 컴팩트 모델링 연구를 통해 다양한 차세대 소자의 동작 특성을 수학적으로 모델링하여 실제 회로 설계 및 시스템 응용에 적용하고 있습니다. 이러한 모델링 기술은 주파수 더블러, TCAM, 신경망 회로 등 다양한 응용 회로의 성능 향상에 기여하고 있습니다. 소자 신뢰성 분석 분야에서는 방사선 효과, 자가 발열, 워크펑션 변동 등 소자의 장기적 신뢰성에 영향을 미치는 다양한 요인을 체계적으로 연구합니다. 이를 통해 소자의 내구성 향상과 신뢰성 확보를 위한 구조적/공정적 개선 방안을 제시하고, 실제 반도체 산업 현장에 적용 가능한 솔루션을 개발하고 있습니다. 본 연구실은 국내외 학술지 논문 발표, 특허 출원, 산학협력 프로젝트 등 다양한 연구 성과를 창출하고 있으며, 인메모리 컴퓨팅, 고집적 메모리, 신경망 회로 등 미래 반도체 응용 분야에서의 기술 혁신을 선도하고 있습니다. 또한, 학부 및 대학원 연구 인력 양성에도 힘쓰며, 차세대 반도체 산업을 이끌어갈 인재를 배출하고 있습니다. ASRL은 앞으로도 첨단 반도체 소자 및 회로 분야에서 창의적이고 혁신적인 연구를 지속하여, 국내외 반도체 산업 발전과 학문적 성과 창출에 기여할 것입니다.