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2nm급 배선박막 및 실리콘 브릿지 칩렛 전력분배 패키징 연구

2nm-Class Wiring Thin Films and Silicon Bridge Chiplet Power Distribution Packaging

연구 내용

루테늄 기반 2nm급 배선박막 공정과 확산 방지/접착 계면 제어를 통해 고신뢰성 인터커넥트와 실리콘 브릿지 칩렛 전력분배 패키징을 구현하는 연구

초미세 배선에서는 금속 산화, 확산, 계면 접착 저하가 전기·신뢰성 열화로 직결됩니다. 본 연구는 루테늄 기반 차세대 배선박막을 대상으로 자가 형성 확산 방지층과 계면접착에너지 기반의 접합 인터페이스를 설계하고, 원자층 증착법으로 공정 재현성을 확보합니다. 또한 금속 산화물 및 전이금속 질화물 계열의 박막을 적용해 확산 경로를 차단하는 동시에, 실리콘 브릿지 이종집적 패키징에서 저전력 전력분배 성능과 신뢰성 요구를 만족하도록 패키지 수준의 연계를 검토합니다.

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연구 흐름

초기 연구는 2nm급 배선박막에서 재료 조합에 따른 확산 및 산화 취약성을 규명하고, 자가 형성 확산 방지층과 계면접착에너지 개념을 공정 변수와 연결하는 데 집중했습니다. 이후 원자층 증착법을 활용해 금속 산화물, 전이금속 질화물 등 기능층을 반복 공정으로 구현하고, 계면 품질을 신뢰성 관점에서 평가했습니다. 중기에는 배선박막 결과를 패키징 구조 설계로 확장하여 실리콘 브릿지 기반 칩렛 이종집적에서 전력분배와 신뢰성의 균형점을 찾았습니다. 최근에는 공정-재료-패키지 통합 관점에서 고효율 전력분배를 위한 고신뢰성 인터커넥트 설계로 발전시키고 있습니다.

활용 가능성

활용 가능성은 알앤디써클 특화 AI 에이전트가 생성한 내용으로, 실제 연구 가능 여부는 연구실과의 논의가 필요합니다.

  • 2nm급 인터커넥트 배선박막 공정 기술
  • 루테늄 기반 고신뢰성 금속 박막
  • 확산 방지층 및 계면 접착 제어
  • 금속 산화물·전이금속 질화물 기능층
  • 자가 형성 확산 방지 메커니즘 기반 설계
  • 실리콘 브릿지 칩렛 전력분배 모듈
  • 저전력 이종집적 패키징 인터커넥트
  • 초미세 배선 열화 저감 공정
  • 패키지 수준 신뢰성 향상 설계
  • 고밀도 칩렛 연계형 제조 가이드

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구분

제목

1

고효율 전력분배를 위한 고신뢰성 실리콘 브릿지 이종집적 패키징 기술

2

고효율 전력분배를 위한 고신뢰성 실리콘 브릿지 이종집적 패키징 기술

3

2nm급 반도체 칩을 위한 차세대 배선박막 공정 및 특성 연구

4

2nm급 반도체 칩을 위한 차세대 배선박막 공정 및 특성 연구

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