ISDL(지능형 반도체 소자 및 회로 설계 연구실)은 강릉원주대학교 전자공학과 소속으로, 첨단 나노소재와 혁신적인 소자 구조를 활용한 차세대 반도체 소자 및 회로 개발에 주력하고 있습니다. 연구실은 하이브리드 CMOS 뉴런 회로, 저전력 시냅스 소자, Positive Feedback FET(FBFET) 등 다양한 첨단 소자를 CMOS와 융합하여, 기존 반도체 기술의 한계를 극복하고자 합니다. 특히, 저전력 신경망 회로 구현을 위해 반도체 나노소재의 헤테로접합을 기반으로 한 멤리스터 개발, 시냅스 어레이의 누설 전류 차단 기술, 그리고 초고속 스위칭 소자 통합 등 다양한 연구를 진행하고 있습니다. 이러한 연구는 인공지능 하드웨어, 뉴로모픽 시스템, 그리고 에너지 효율적인 반도체 소자 개발에 중요한 기여를 하고 있습니다. 또한, 연구실은 단일벽 탄소나노튜브(SWCNT), 이황화몰리브덴(MoS2) 등 나노소재를 활용한 저항성 스위칭 메모리(RRAM), FET형 수소 센서 등 차세대 소자 개발에도 집중하고 있습니다. CNT 딥코팅, MOCS 기반 멤리스터, 팔라듐 나노입자 장착 센서 등 다양한 신소재 및 신공정 기술을 도입하여, 고감도·저전력·고신뢰성 소자 구현에 앞장서고 있습니다. 연구실은 다수의 국제 저널 논문, 특허, 그리고 국내외 학술대회 발표를 통해 연구 성과를 꾸준히 발표하고 있으며, 삼성전자 등 산업계와의 협력을 통해 실용화 연구도 활발히 진행하고 있습니다. 이를 바탕으로 미래 반도체 산업을 선도할 수 있는 창의적이고 실용적인 기술 개발에 매진하고 있습니다. ISDL 연구실은 앞으로도 나노소재, 신소자, 신경망 회로 등 다양한 분야에서 혁신적인 연구를 지속하여, 인공지능, IoT, 스마트 센서 등 미래 정보통신기술의 핵심 기반을 마련하는 데 기여할 것입니다.