본 연구에서는 안정적인 다치 논리(MVL)를 구현하는 전기적으로 이진 및 삼진 재구성 가능 상보형 금속-산화물-반도체(T-CMOS) 인버터를 제시한다. 이 소자는 상보형 FET(CFETs) 구성에서 화학기상증착으로 성장한 MoS2 n-채널 및 WSe2 p-채널 금속-산화물-반도체 전계효과트랜지스터(MOSFETs)를 수직 적층 통합함으로써 구현되며, 정전류 동작을 통해 잘 정의된 중간 논리 상태를 가능하게 하는 게이트 조절형 MoS2 저항성 소자가 결합된다. 수직으로 적층된 2D MOSFET들과 전기적으로 조절 가능한 저항성 소자의 독특한 조합은 전압 전달 특성의 정밀한 제어와 이진 모드 및 삼진 모드 간의 동적 전환을 가능하게 한다. 또한 이러한 T-CMOS 인버터를 대규모로 집적하여 NAND(NMIN) 및 NOR(NMAX) 등 삼진 논리 게이트를 시연함으로써, 집적도 확장성과 컴팩트하고 에너지 효율적인 MVL 회로의 잠재력을 검증한다.

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