강기범 연구실
한국과학기술원 신소재공학과
강기범 교수
이차원 전이금속 칼코겐화합물
MOCVD 증착
단결정 박막 성장
홈
강기범 연구실
한국과학기술원 신소재공학과 강기범 교수
강기범 연구실은 신소재공학 분야에서 2D 전이금속 칼코겐화합물과 관련 박막의 합성, 공정 및 소자 물성 제어에 집중합니다. 특히 metal–organic chemical vapor deposition 기반 성장에서 확산·핵생성 거동을 제어하여 단·이중층의 균일성을 확보하고, 결정성 및 계면 상태 조절을 통해 밴드 구조와 valley polarization 같은 기능을 구현합니다. 나아가 2D FET의 접촉저항을 낮추는 PtSe2 계열 접촉 설계, 수직 적층 CFET 논리회로, MoS2 통합 SERS 정량 분석, 그리고 ZrO2 변동성 제어 멤리스터와 Ge4Se9 vdW 메모리 소자까지 정보처리 소자로 확장해 연구를 수행합니다.
이차원 전이금속 칼코겐화합물MOCVD 증착단결정 박막 성장2D FET 접촉공학반데르발스 이종구조
대표 연구 분야
연구 영역 전체보기
알칼리금속 보조 MOCVD 기반 2D 전이금속 칼코겐화합물 성장 및 결정·밴드 구조 제어 연구
Alkali-metal-assisted MOCVD growth and crystal/band-structure control of 2D transition-metal chalcog
연구 분야 상세보기
알칼리금속 보조 MOCVD 기반 2D 전이금속 칼코겐화합물 성장 및 결정·밴드 구조 제어 연구
Alkali-metal-assisted MOCVD growth and crystal/band-structure control of 2D transition-metal chalcog
연구 분야 상세보기
2D FET 접촉·수직 적층 논리 및 SERS 기반 광전자/바이오센싱 소자 연구
2D FET contact engineering, vertically stacked logic, and SERS-based optoelectronic biosensing
연구 분야 상세보기
ZrO2 변동성 제어 멤리스터와 Ge4Se9 vdW 이종접합 메모리 소자 기반 뉴로모픽 정보처리 연구
Neuromorphic information processing using ZrO2 volatility-tuned memristors and Ge4Se9 vdW heterostru
연구 분야 상세보기
연구 성과 추이
표시된 성과는 수집된 데이터 기준으로 산출되며, 일부 차이가 있을 수 있습니다.
주요 논문
5
논문 전체보기
1
Article
|
·
인용수 2
·
2025Metal–Organic Chemical Vapor Deposition of 2D Semiconducting Bi 2 O 2 S for High‐Performance Field‐Effect Transistor
Hyun‐Jun Chai, Minsoo Kang, Ayoung Ham, Han Beom Jeong, Cheolmin Park, Yong‐Sung Kim, Eunpyo Park, Gichang Noh, Min‐kyung Jo, Woonggi Hong, Min‐Gu Kang, Tae Soo Kim, Suhyun Kim, Jeongwon Park, Jaehyun Lee, Mingyu Kim, Seongdae Kwon, Hyeonbin Park, Joon Young Kwak, Seungwoo Song, Sung‐Yool Choi, Hu Young Jeong, Seunghwan Seo, Kibum Kang
IF 29.1 (2025)
Advanced Materials
차세대 전자기기를 위한 다목적 반도체로서 S가 지니는 잠재력은 BEOL과 호환되는 저온 합성과 고속·저전력 소자 성능을 모두 제공한다.
https://doi.org/10.1002/adma.202501269
Millisecond
Sublimation (psychology)
Chemical vapor deposition
Responsivity
Transistor
Semiconductor
Photodetector
Band gap
2
Article
|
·
인용수 1
·
2025Homogenizing two-dimensional crystals
Dongyoung Kim, Kibum Kang
IF 47.3 (2025)
Science
란타넘의 원자 한 층 두께 박막이 반도체 결정을 한 방향으로 정렬시킨다.
https://doi.org/10.1126/science.aec0435
Layer (electronics)
Semiconductor
Lanthanum
Semiconductor materials
Crystal (programming language)
3
Article
|
인용수 22
·
2024Indirect‐To‐Direct Bandgap Crossover and Room‐Temperature Valley Polarization of Multilayer MoS2 Achieved by Electrochemical Intercalation
Min‐kyung Jo, Eunji Lee, Eoram Moon, Bo Gyu Jang, Jeongtae Kim, Jeongtae Kim, Krishna P. Dhakal, Saeyoung Oh, Seong Rae Cho, Nurul Hasanah, Seungmo Yang, Hu Young Jeong, Jeongyong Kim, Jeongyong Kim, Kibum Kang, Seungwoo Song
IF 26.8 (2024)
Advanced Materials
층간 분리를 나타낼 뿐만 아니라 전자 도핑 효과로부터의 이점도 제공한다. 그 결과 PL(발광) 강도가 백 배 증가하고 안정적인 계곡(valley) 편광이 유지되며, 3 K와 실온에서 각각 55% 및 16%의 계곡 편광도를 달성한다. 층간 분리와 게이트 프리(gate-free) 방식에 의해 촉진된 트리온(trion) 지배로 인해 실온에서도 지속되는 계곡 편광은 계곡 선택적 광전자소자와 계곡 트랜지스터에 대한 잠재적 응용 가능성을 연다.
https://doi.org/10.1002/adma.202407997
Materials science
Valleytronics
Photoluminescence
Molybdenum disulfide
Band gap
Optoelectronics
Doping
Condensed matter physics
Polarization (electrochemistry)
Point reflection
최신 정부 과제
43
과제 전체보기
1
2025년 6월-2028년 6월
|150,000,000원옹스트롬 노드 向 신채널 물질 기반 EUV 연계 반도체 공정 플랫폼 구축
[옹스트롬 노드를 위한 2차원 반도체 성장 및 EUV 패터닝 적용 기술 개발](1) 성장기술: 웨이퍼 스케일 2차원 반도체 채널 MOCVD 성장 기술 개발(2) 소자기술: 2차원 반도체의 EUV 공정 연구 및 옹스트롬 노드 소자 제작 기술 개발
이차원 반도체
극자외선
옹스트롬 노드
집적소자
신채널 물질
2
2025년 6월-2028년 6월
|300,000,000원옹스트롬 노드 向 신채널 물질 기반 EUV 연계 반도체 공정 플랫폼 구축
[옹스트롬 노드를 위한 2차원 반도체 성장 및 EUV 패터닝 적용 기술 개발](1) 성장기술: 웨이퍼 스케일 2차원 반도체 채널 MOCVD 성장 기술 개발(2) 소자기술: 2차원 반도체의 EUV 공정 연구 및 옹스트롬 노드 소자 제작 기술 개발
이차원 반도체
극자외선
옹스트롬 노드
집적소자
신채널 물질
3
2025년 5월-2025년 10월
|105,492,166원(KAIST 창업육성사업)벤처창업활성화(2D 반도체 성장용 Batch Furnace 시제품 개발)
단일 웨이퍼 수준에서 2D 반도체를 합성하던 공정을 대량 생 산 체계로 전환하기 위해 다중 웨이퍼에서 동시에 2D 반도체 소재를 합성할 수 있는 양산향 장비와 공정 기술을 개발함
2D 반도체
2D 반도체 성장용 Batch
Furnace 다중 웨이퍼 증착
챔버 유동 해석
장비 균일성
재현성
최신 특허
특허 전체보기
전체 특허
전이금속칼코겐을 포함하는 막의 증착방법 및 이를 위한 칼코겐전구체
상태
등록출원연도
2024출원번호
1020240128997하드마스크 패턴 형성을 위한 단일층 유기박막 기반 영역 선택적 원자층 증착법
상태
공개출원연도
2024출원번호
1020240106611이차원 물질을 포함하는 반도체 소자 및 그 제조방법
상태
공개출원연도
2024출원번호
1020240091358