[옹스트롬 노드를 위한 2차원 반도체 성장 및 EUV 패터닝 적용 기술 개발](1) 성장기술: 웨이퍼 스케일 2차원 반도체 채널 MOCVD 성장 기술 개발(2) 소자기술: 2차원 반도체의 EUV 공정 연구 및 옹스트롬 노드 소자 제작 기술 개발
이차원 반도체
극자외선
옹스트롬 노드
집적소자
신채널 물질
2
2025년 6월-2025년 10월
|105,492,166원
(KAIST 창업육성사업)벤처창업활성화(2D 반도체 성장용 Batch Furnace 시제품 개발)
단일 웨이퍼 수준에서 2D 반도체를 합성하던 공정을 대량 생 산 체계로 전환하기 위해 다중 웨이퍼에서 동시에 2D 반도체 소재를 합성할 수 있는 양산향 장비와 공정 기술을 개발함
2D 반도체
2D 반도체 성장용 Batch
Furnace 다중 웨이퍼 증착
챔버 유동 해석
장비 균일성
재현성
3
2025년 6월-2030년 12월
|2,623,000,000원
반도체급 12인치 vdW 소재 합성/분석 기술 개발
반도체급 12인치 vdW 소재의 저온·고속 합성 및 대면적·고속 분석 기술 개발
2D 반데르발스
반도체
합성
실시간 분석
3D 집적화
4
2025년 4월-2026년 12월
|647,500,000원
차세대 CMOS 소자 구현을 위한 8인치급 P형 TMD 반도체 공정, 소재, 장비 개발
(1) 공정: 양산 적용 가능 수준의 조건(성장 온도≤380℃) 및 품질(온 전류밀도≥50㎂/㎛)을 갖는 P형 TMD 반도체 MOCVD 성장 공정 기술 개발(2) 소재: P형 TMD 반도체 (WSe2) 성장용 신규 고순도 전구체 (Na,W,Se 등) 합성 기술 개발 및 제품화(3) 장비: 8인치 웨이퍼 스케일 P형 TMD 증착용 MOCVD 장비 시제품 개발...
P형 TMD 반도체
전구체 합성
반도체 증착 장비
차세대 CMOS 소자
저온 성장
5
2025년 4월-2026년 12월
|140,000,000원
알칼리금속 유기 촉진자를 활용한 저온·고품질 2차원 반도체 증착 공정 기술의 사업화 추진을 위한 IP 고도화 및 상용화
기존 실리콘 반도체 공정의 한계를 극복할 수 있는 이차원 반도체 기술을 상용화하여 차세대 반도체 시장에서 경쟁력을 확보하는 것을 목표로 함.▷ 연구팀의 보유 특허를 분석하고, 핵심 기술인 가스상 알칼리 유기 촉진자+칼코겐 프리커서 엔지니어링에 대해 특허 고도화 실시.▷ 특허 데이터 분석을 기반으로 연구팀의 핵심 기술 및 특허에 대해 상업화 및 사업화 전략 ...