층간 분리를 나타낼 뿐만 아니라 전자 도핑 효과로부터의 이점도 제공한다. 그 결과 PL(발광) 강도가 백 배 증가하고 안정적인 계곡(valley) 편광이 유지되며, 3 K와 실온에서 각각 55% 및 16%의 계곡 편광도를 달성한다. 층간 분리와 게이트 프리(gate-free) 방식에 의해 촉진된 트리온(trion) 지배로 인해 실온에서도 지속되는 계곡 편광은 계곡 선택적 광전자소자와 계곡 트랜지스터에 대한 잠재적 응용 가능성을 연다.

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