질화붕소 인화물(Boron phosphide, BP)은 높은 열전도도, 뛰어난 기계적 강도, 우수한 화학적 및 열적 안정성으로 인해 전자 기기용 유망한 열 확산(heat-spreading) 소재로 부상하고 있다. 본 연구에서는 시간영역 열반사(time-domain thermoreflectance) 방법을 이용하여 100–300 K의 온도 범위에서 동위원소가 농축된 10BP와 11BP의 열전도도를 실험적으로 측정하였다. 실온에서 10BP와 11BP의 측정 열전도도는 각각 550 및 580 W/m·K이다. 10BP는 전 온도 범위에 걸쳐 11BP보다 약간 높은 열전도도를 보인다. 이러한 차이는 포논 분산(phonon dispersion)의 차이와 동위원소에 의해 유도되는 포논 산란의 영향에 기인한다. 본 연구는 BP의 열수송 특성을 향상시키는 데 있어 동위원소 정제(isotope purification)의 역할을 강조하며, 고전력 전자 응용 분야에서 효과적인 열 관리(thermal management) 소재로서의 잠재력을 뒷받침한다.

*본 초록은 AI를 통해 원문을 번역한 내용입니다. 정확한 내용은 하기 원문에서 확인해주세요.