조근호 연구실은 차세대 반도체 소자로 주목받는 탄소나노튜브 기반 트랜지스터(CNTFET)의 설계, 제작, 그리고 회로 응용에 대한 심도 깊은 연구를 수행하고 있습니다. CNTFET은 기존 실리콘 기반 MOSFET의 한계를 극복할 수 있는 뛰어난 전기적 특성과 스케일링 가능성을 지니고 있어, 미래 반도체 산업에서 중요한 역할을 할 것으로 기대됩니다. 연구실에서는 CNTFET의 구조적 특성, 공정 편차, 그리고 소자 성능에 미치는 다양한 변수들을 분석하고, 이를 바탕으로 신뢰성 높은 회로 설계 방법론을 개발하고 있습니다. 특히, CNTFET과 기존 MOSFET을 결합한 하이브리드 소자 및 회로 설계에 집중하고 있습니다. 하이브리드 MOSFET-CNTFET 기반 SRAM, 게이트 드라이버 등 다양한 회로 블록을 설계하고, 이들의 성능을 시뮬레이션 및 실험적으로 검증함으로써 실용화 가능성을 높이고 있습니다. 이러한 연구는 공정 편차에 강인한 회로 설계, 소자 밀도 최적화, 그리고 신뢰성 향상에 중점을 두고 진행되고 있습니다. 연구실의 연구 결과는 국내외 학술지 및 특허로 활발히 발표되고 있으며, 실제 디스플레이 및 메모리 소자에 적용 가능한 기술로 발전하고 있습니다. CNTFET의 물리적 한계 극복, 공정 불안정성 보정, 그리고 대규모 집적회로 구현을 위한 혁신적인 방법론을 지속적으로 제시함으로써, 미래 반도체 기술의 패러다임 전환을 선도하고 있습니다.

본 연구실은 HMD(Head Mounted Display)와 Flexible AMOLED Display 등 차세대 디스플레이 기기에 적용 가능한 고성능 게이트 드라이버 회로 설계에 주력하고 있습니다. 특히, 탄소나노튜브 트랜지스터를 활용한 게이트 드라이버 회로는 기존 실리콘 기반 트랜지스터 대비 속도, 전력 효율, 소형화 측면에서 탁월한 성능을 보입니다. 연구실에서는 CNTFET 기반 버퍼 및 제어 회로를 개발하여, 디스플레이의 응답 속도와 화질을 크게 향상시키는 기술을 선보이고 있습니다. 이러한 연구는 실제 산업 현장과의 협력을 통해 실용화 단계까지 이어지고 있습니다. 삼성디스플레이 등 국내외 주요 디스플레이 기업과의 산학협력을 바탕으로, 특허 출원 및 기술 이전이 활발하게 이루어지고 있습니다. 연구실의 기술은 HMD, OLED, AMOLED 등 다양한 디스플레이 기기의 핵심 부품으로 적용될 수 있으며, 특히 빠른 화면 전환과 저전력 구동이 요구되는 차세대 디스플레이에 최적화되어 있습니다. 연구실은 디스플레이 회로 설계뿐만 아니라, 공정 편차에 강인한 회로 구조, 신호 안정성 확보, 그리고 대면적 디스플레이에 적합한 확장성 있는 설계 방법론 개발에도 집중하고 있습니다. 이를 통해 미래 디스플레이 산업의 혁신을 주도하고, 사용자 경험을 극대화하는 첨단 디스플레이 기술의 발전에 기여하고 있습니다.