무기질 흑색 α-CsPbI3 페로브스카이트는 대기 조건에서 비(非)페로브스카이트 δ-CsPbI3 상으로의 상전이를 일으키는 경향이 있으며, 이는 실리콘 태양전지와의 탠덤 태양전지와 같은 잠재적 광전지 응용을 저해한다. 입방 α-CsPbI3에 비하여, 왜곡된 PbI6 무기 골격으로 인해 β-CsPbI3 상은 더 높은 열역학적 안정성을 갖는다. 우리는 DMAPbI3와 CsI를 사용하여 용액법으로 β-CsPbI3 페로브스카이트 박막을 제조하였다. 제조 직후의 CsPbI3 페로브스카이트 박막에 디카티온(dication) 분자인 homopiperazium(HPI2)을 도입하여, 표면에서 3D CsPbI3 위에 1D (HPI2)2PbI6 페로브스카이트를 형성하였다. 이는 흑색의 정방정 β-CsPbI3 페로브스카이트에서 황색 비(非)페로브스카이트 δ-CsPbI3 상으로의 상전이를 지연시킴으로써 CsPbI3 페로브스카이트 박막의 안정성을 현저하게 향상시켰다. 또한 HPI2 디카티온을 이용한 후처리는 CsPbI3 페로브스카이트에서의 결함 부위 패시베이션을 통해 조밀하고 잘 결정화된 CsPbI3 박막을 갖는 고품질의 페로브스카이트 박막을 제공하였다. CsPbI3((HPI2)2PbI6) 페로브스카이트 PSC는 최고 PCE 14.69%를 보였으며, 1D (HPI2)2PbI6를 포함하지 않은 대조 CsPbI3 장치는 약 11.53%에 그쳤다. 더불어, CsPbI3((HPI2)2PbI6) 장치의 초기 효율의 87%는 실온에서 상대습도 30% 조건 하에서 유지되었다.