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International Workshop on Nitride Semiconductors
AlN 버퍼층을 활용한 높은 DC와 RF 특성을 가지는 AlGaN/GaN HEMT
구분
국외
국가
미국
컨퍼런스명
International Workshop on Nitride Semiconductors
발표 제목
AlN 버퍼층을 활용한 높은 DC와 RF 특성을 가지는 AlGaN/GaN HEMT
기관명
NC state university
참여 연도
2024
상세 설명
NC state university