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8th International Conference on Electronic Materials and Nanotechnology for Green Environment
고품질 AlN 버퍼층을 활용한 높은 항복전압과 낮은 전류분산을 갖는 AlGaN/GaN HEMT
구분
국내
국가
대한민국
컨퍼런스명
8th International Conference on Electronic Materials and Nanotechnology for Green Environment
발표 제목
고품질 AlN 버퍼층을 활용한 높은 항복전압과 낮은 전류분산을 갖는 AlGaN/GaN HEMT
기관명
Korean Institute of Metals and Materials
참여 연도
2024
상세 설명
Korean Institute of Metals and Materials