SiC 기판 위의 고결정성 AlN 버퍼 층 위에 에피택셜 성장한 고성능 AlGaN/GaN 고전자이동도 트랜지스터(HEMT)를 보고한다. 이 소자는 고효율 X-밴드 국방 및 위성 응용을 위한 전력 증폭기를 목표로 한다. AlN 버퍼는 우수한 결정성을 보이며, (002) X선 회절의 반치폭(full width at half maximum)이 165 arcsec이고, 5 μm 간격에서 버퍼 누설이 1 × 10^-9 A/mm 미만으로 유지된다. 제작된 소자는 150 nm T자형 게이트를 가지며, 첨두 트랜스컨덕턴스 465 mS/mm를 달성하고, 펄스 I-V 측정에 기인한 낮은 전류 콜랩스 비율 7.3%로 안정적인 동작을 나타낸다. 10 GHz에서 28 V 드레인 바이어스 하의 대신호 로드 풀(load-pull) 측정을 통해 전력부가효율(PAE) 64.2%, 전력 이득 21.3 dB, 출력 전력 밀도 6.27 W/mm를 얻었다. 이러한 결과는 최첨단 소자들과 비교(벤치마킹)했을 때, 실용적인 승압 조건에서 동작하는 차세대 X-밴드 전력 증폭기 응용에 대해 본 아키텍처의 적합성을 보여준다.

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