) 정상 동작 장치의 경우 4.1%, 정상 차단 장치의 경우 12.8%로 각각 나타났다. 또한 in situ SiN 패시베이션 층을 적용함으로써 분해 특성이 크게 개선되었으며, 이는 in situ SiN 패시베이션 층이 표면 트래핑(surface-trapping) 효과를 현저히 억제할 뿐 아니라 GaN 기반 전력 소자에서 오프 상태 누설 전류를 감소시킬 수 있음을 시사한다.

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