저전력 뉴로모픽 컴퓨팅을 위한 고성능 전기화학 랜덤 접근 메모리(ECRAM) 연구는 AI 및 뉴로모픽 응용을 위해 중요한 주제입니다. 이 연구는 신뢰성 높은 고정밀 전류 판독 기능을 갖춘 아날로그 인 메모리 연산 시스템을 개발하는 것을 목표로 합니다. 또한, 산화물 반도체와 같은 새로운 소재를 활용하여 높은 선형성과 대칭성을 갖춘 아날로그 뉴로모픽 시냅스를 구현하고, 높은 밀도의 시냅틱 배열을 통해 뉴로모픽 컴퓨팅 성능을 향상시킵니다. 나아가, 산소 결함 레벨을 조절하여 금속 산화물의 전도 특성을 최적화하고, 이온 이동을 가속화하여 시냅스 특성을 개선합니다. 이러한 연구는 전력 소모를 줄이면서도 높은 연산 성능을 제공하는 뉴로모픽 시스템 개발에 기여합니다.