ESDC Lab은 차세대 반도체 소자 및 집적 회로 기술 개발을 선도하는 연구실로, 반도체 소자의 설계, 시뮬레이션, 모델링, 회로 응용까지 전 주기를 아우르는 융합 연구를 수행하고 있습니다. 연구실은 피드백 전계효과 트랜지스터(FBFET), 터널링 전계효과 트랜지스터(TFET), 강유전체 트랜지스터 등 신개념 소자 구조를 개발하여, 기존 CMOS 기술의 한계를 극복하고 미래 반도체 산업의 혁신을 이끌고 있습니다. 특히, 실리콘 나노와이어, 산화갈륨(β-Ga₂O₃), 니켈옥사이드(NiO) 등 다양한 신소재를 활용한 소자 및 센서 개발에 주력하고 있습니다. 이러한 소자들은 초저전력, 고속 동작, 고집적화, 고신뢰성 등 첨단 반도체가 요구하는 핵심 특성을 갖추고 있으며, 3D NAND 플래시, DRAM, SRAM 등 메모리 소자뿐만 아니라, 로직 소자, 센서, 뉴로모픽 하드웨어 등 다양한 응용 분야로 확장되고 있습니다. ESDC Lab은 반도체 소자의 컴팩트 모델 개발과 머신러닝 기반 특성 예측, TCAD 시뮬레이션, SPICE 모델링 등 첨단 시뮬레이션 및 모델링 기법을 적극적으로 도입하고 있습니다. 이를 통해 소자-회로-시스템 통합 설계의 효율성을 높이고, 개발 기간 단축 및 신뢰성 향상 등 실질적인 산업적 효과를 창출하고 있습니다. 또한, 신소재 기반의 고성능 센서 및 뉴로모픽 소자 개발에도 앞장서고 있습니다. 자외선(Deep UV) 포토디텍터, 전력반도체, 슈트키 다이오드 등 다양한 센서 소자를 개발하고, 생물학적 뉴런의 동작 원리를 모사한 뉴로모픽 회로 연구를 통해 초저전력·고집적 인공지능 하드웨어의 실현 가능성을 제시하고 있습니다. 이와 같은 연구 성과는 다수의 특허, 국내외 저명 학술지 논문, 산학협력 프로젝트, 국제 학회 발표 등으로 이어지고 있으며, ESDC Lab은 미래 반도체 및 스마트 시스템 분야에서 세계적 경쟁력을 갖춘 연구실로 자리매김하고 있습니다.