A domestic patent (10-2661977) was registered.

A domestic patent (10-2648616) was registered.

A domestic patent (10-2572752) was registered.

A domestic patent (10-2293791) was registered.

홍성민, 이광운, ..., 국내 특허 발명 신고.

홍성민, 반도체 소자 기술에 대한 가상 역사 시뮬레이션 시스템, 국내 특허 발명 출원, 10-2024-0135435.

SRAM CELL STRUCTURE WITH 3 P-CHANNEL TRANSISTORS AND 3 N-CHANNEL TRANSISTORS AND METHOD OF OPERATING THE SRAM CELL

홍성민, 3 P-채널 트랜지스터들과 3 N-채널 트랜지스터들을 갖는 SRAM 셀 구조 및 상기 SRAM의 동작 방법, 국내 특허 발명 출원, 10-2024-0015264.

홍성민, 안필헌, 기하학적 산란을 이용한 불균일한 단면을 가진 트랜지스터의 멀티서브밴드 볼츠만 시뮬레이션, 국내 특허 발명 출원, 10-2023-0176805.

홍성민, 항복 전압을 효율적으로 예측가능한 반도체 소자의 시뮬레이션 방법, 국내 특허 발명 출원, 10-2023-0152652.