베타 산화갈륨(β‐Ga 2 O 3 )은 5G 및 AI 기술 분야에서 대면적 회로 집적과 고전력 소자 응용을 위한 유망한 초광대역갭 n형 반도체로 부상하였다. 그러나 β‐Ga 2 O 3 는 기존의 금속화 방법을 이용한 옴(ohmic) 접촉 형성에서 치명적인 문제가 있다. 본 연구에서는 쇼트키 다이오드 회로 및 메탈-세미컨덕터 전계효과 트랜지스터(MESFET) 응용을 위해, β‐Ga 2 O 3 활성 채널 물질 위에 공정 금속액(공정 갈륨 인듐, EGaIn) 액체금속을 사용하여 옴 접촉 전극을 저온에서 성공적으로 제작하는 전략을 입증하였다. 옴 접촉과 정류(rectifying) 접촉의 선택적 스크린 프린팅은 추가적인 후속 열처리 및 식각 공정 없이도 소스/드레인 전극, 쇼트키 다이오드, FET를 포함하는 대칭 및 비대칭 소자 구조의 단일체(monolithic) 집적을 가능하게 한다. β‐Ga 2 O 3 /Au 쇼트키 다이오드는 전류 on/off 비 10⁷ 및 정류 이상계수(ideality factor, η) 1.63의 우수한 정류 특성을 보였으며, MESFET 소자에서는 드레인 전류 on/off 비가 ≈3.1 × 10 6 으로 나타났다.

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