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이영택 연구실
인하대학교 전기전자공학부 이영택 교수
2D 반도체
스플릿게이트 FET
리컨피러블 로직소자
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이영택 연구실

인하대학교 전기전자공학부 이영택 교수

이영택 연구실은 반도체 센서와 차세대 전자응용소자 분야에서 산화물 및 2D 반도체 기반 소자 구조를 설계하고 전기적·광학적 응답 특성을 제어하는 연구를 수행합니다. 분할 게이트, 듀얼 게이트, 나노갭 전극 등 리컨피러블 소자 아키텍처를 통해 NAND/NOR·XOR·SAND 같은 로직 동작과 엔벨로프 검출 및 주파수 트리플러 회로를 구현합니다. 또한 vdW 접합-FET의 정전용량 감지로 바이오마커를 무표지 검출하고, Pd 기반 IGZO TFT의 수소 감지 메커니즘을 전계효과와 함께 평가합니다. β-Ga2O3에서는 EGaIn 유체금속을 이용한 저온 접촉공학으로 Schottky diode 및 MESFET 구동 기반을 확보하며, 대면적 이종게이트 융합형 스위칭 소자 기술을 확장합니다.

2D 반도체스플릿게이트 FET리컨피러블 로직소자vdW 헤테로접합나노갭 소자공학
대표 연구 분야
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2D 반도체 기반 리컨피러블 로직 및 광-전기 회로 연구 thumbnail
2D 반도체 기반 리컨피러블 로직 및 광-전기 회로 연구
Reconfigurable Logic and Optoelectronic Circuits Based on 2D Semiconductors
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무표지 정전용량·전계 조절 기반 바이오 및 가스 센서 연구 thumbnail
무표지 정전용량·전계 조절 기반 바이오 및 가스 센서 연구
Label-Free Capacitive and Field-Controlled Biosensors and Gas Sensors
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β-Ga2O3 기반 저온 접촉공학과 초저전력 스위칭 소자 기술 연구 thumbnail
β-Ga2O3 기반 저온 접촉공학과 초저전력 스위칭 소자 기술 연구
Low-Temperature Contact Engineering and Ultra-Low-Power Switching Devices Based on β-Ga2O3
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연구 성과 추이
표시된 성과는 수집된 데이터 기준으로 산출되며, 일부 차이가 있을 수 있습니다.
주요 논문
5
논문 전체보기
1
Article
|
·
인용수 0
·
2026
All 2D van der Waals junction-FET biosensor with external capacitive sensing for rapid, label-free detection of liver cancer biomarkers
Sesung Park, Geonho Lee, Junki Seo, Si Eun Yu, Joohoon Kang, Junmin Lee, Young Tack Lee
IF 10.5 (2026)
Biosensors and Bioelectronics
https://doi.org/10.1016/j.bios.2026.118541
Biosensor
Detection limit
van der Waals force
Biomarker
Microfluidics
Capacitive sensing
Cancer detection
Transistor
2
Article
|
·
인용수 19
·
2024
J-MISFET Hybrid Dual-Gate Switching Device for Multifunctional Optoelectronic Logic Gate Applications
Si Eun Yu, Han Joo Lee, Min‐gu Kim, Seongil Im, Young Tack Lee
IF 16 (2024)
ACS Nano
), 히스테리시스 폭이 무시할 만한 수준(<0.5 mV), 그리고 거의 이상적인 문턱하 기울기(SS)(60 mV/dec)를 보여, 저전력 스위칭 동작에 적합하다. 또한 우리는 낮은 공급 전압(0.5 V)에서 J-MISFET의 스위치 가능한 NAND/NOR 논리 게이트 동작과 광응답 특성을 조사하였다. 응용을 한층 더 발전시키기 위해, 암호화된 데이터용 2개의 전기적 입력과 비밀번호 키를 위한 1개의 포토닉 입력으로 구성된 통합 광전자 보안 논리 시스템을 성공적으로 시연하였으며, 이는 데이터 보호를 위한 하드웨어 보안 장치이다. 따라서, 이기종 하이브리드 게이트 구조를 갖는 우리의 J-MISFET은 데이터 기반 사회에서 차세대 저전력 전자소자 및 다기능 보안 논리 시스템을 위한 미래 소자 구성을 향한 길을 비출 것이라 생각한다.
https://doi.org/10.1021/acsnano.4c01450
NAND gate
MISFET
Materials science
Logic gate
Optoelectronics
Electrical engineering
Computer science
AND gate
Electronic engineering
Voltage
3
Article
|
인용수 28
·
2022
Graphene Bridge Heterostructure Devices for Negative Differential Transconductance Circuit Applications
Minjong Lee, Tae Wook Kim, Chang Yong Park, Kimoon Lee, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Min‐gu Kim, Do Kyung Hwang, Young Tack Lee
IF 26.6 (2022)
Nano-Micro Letters
층상(d=) van der Waals(2D vdW) 물질 기반 이종구조 소자 장치는 이종접합 특성으로 인해 고급 전자 응용 분야에서 널리 연구되어 왔다. 본 연구에서는 장자기 효과 트랜지스터(FET)의 채널 물질로서, 횡방향으로 직렬 연결된 양극성(ambipolar) 반도체/Gr-bridge(그래핀 브리지)/n형 이황화 몰리브덴을 포함하는 그래핀(Gr)-브리지 이종구조 소자를 시연한다. 기존의 FET 동작과 달리, 본 연구의 Gr-브리지 소자는 비고전적 전달 특성(오목형/혹(扞) 모양의 전달 곡선)을 보이며, 이에 따라 음의 미분 트랜스컨덕턴스가 나타난다. 이러한 현상은 두 개의 직렬로 연결된 FET에서의 구동 거동으로 해석되며, Gr-브리지 층의 게이트 조절 가능 접촉 용량(contact capacity)에서 기인한다. 비고전적 전달 특성을 기반으로 보다 진보된 회로 응용으로서, 좁은 밴드갭 및 넓은 밴드갭 물질의 양극성 반도체를 사용하여 다치(多値) 논리 인버터와 주파수 트리플러 회로가 성공적으로 시연되었다. 따라서 본 연구에서 제안하는 혁신적이고 단순한 소자 구조 설계가 2D 나노전자에서의 향후 다기능 회로 응용을 위한 유망한 기술이 될 것이라고 생각한다.
https://doi.org/10.1007/s40820-022-01001-5
Transconductance
Bridge (graph theory)
Heterojunction
Optoelectronics
Materials science
Graphene
Differential (mechanical device)
Electrical engineering
Nanotechnology
Engineering
최신 정부 과제
9
과제 전체보기
1
2025년 9월-2028년 8월
|64,494,000원
대면적 Ga2O3 반도체 채널을 이용한 초고성능, 초저전력 상하부 이종게이트 융합형 스위칭 소자기술 개발
최근 AI, 빅데이터, IoT, 초고속 통신 기술의 급속한 발전으로 인해 데이터 센터의 전력 소비가 급증하고 있으며, 이는 글로벌 에너지 소비에 큰 영향을 미치고 있다. 동시에 모바일 및 엣지 디바이스 등 다양한 분야에서도 초저전력 소자의 필요성이 강조되고 있으며, AI 연산 수요 증가에 따라 고성능·고집적·초저전력 반도체 소자의 수요가 폭발적으로 증가하고...
초저전력(pW급)
초경사(SS〈60 mV/dec)
고신뢰성
이종게이트 융합형
대면적 Ga2O3
2
주관|
2022년 7월-2025년 2월
|660,000,000원
반도체 전공트랙 사업
본 과제는 전기자동차 반도체 분야 산업경쟁력 강화를 위한 인재 양성 체계 구축 연구임. 연구목표는 혁신 인재를 지속 공급하는 데 있음. 산업계 수요 기반의 전공트랙 개발·운영, 산학프로젝트 및 산학 인턴쉽 운영 등 산학협력체구축, 실습 교육용 반도체 설계 인프라 구축, 반도체 전문 교과목 개발, 학부와 대학원을 연계한 인력 양성 인프라 구축을 핵심 연구내용으로 수행함. 기대효과는 시스템반도체 전문 인력 양성 및 본교 인재상·국가 핵심 인재상에 부합하는 경쟁력 있는 인력 양성임.
반도체
인력양성
아날로그
디지털
설계
3
2022년 3월-2027년 2월
|12,647,061,200원
스마트센서 전문인력양성사업
□ 국내 센서 기술력 고도화를 위한 스마트 센서 전문인력 양성 및 인력양성 체계 구축4차 산업혁명과 Trillion Sensor 시대를 선도하는 스마트센서 인력양성을 통해 글로벌 경쟁력 비교 우위 확보 및 중소·중견기업 산학연계 실무중심형 스마트센서 특화 전문인력 양성
학위과정
인적자원
스마트센서인력양성
산학프로젝트
최신 특허
특허 전체보기
상태출원연도과제명출원번호상세정보
등록2020광전자 소자를 이용한 다단연결 광전-신경망모사 프로세스 시스템1020200125049
등록2019광전소자 기반 아날로그-디지털 인터페이스 정적 램1020190118618
소멸2016스마트 섬유를 이용한 카펫 시스템1020160091874-
전체 특허

광전자 소자를 이용한 다단연결 광전-신경망모사 프로세스 시스템

상태
등록
출원연도
2020
출원번호
1020200125049

광전소자 기반 아날로그-디지털 인터페이스 정적 램

상태
등록
출원연도
2019
출원번호
1020190118618

스마트 섬유를 이용한 카펫 시스템

상태
소멸
출원연도
2016
출원번호
1020160091874