Low-Temperature Contact Engineering and Ultra-Low-Power Switching Devices Based on β-Ga2O3
연구 내용
β-Ga2O3 채널에 유체금속 EGaIn을 이용한 저온 접촉 형성과 정류/스위칭 소자를 설계하여 고신뢰 구동이 가능한 전력-제어 전자소자를 구현하는 연구
β-Ga2O3를 채널로 하는 Schottky diode 및 MESFET 동작을 목표로, eutectic gallium indium(EGaIn) 액체금속을 이용한 전극 공정을 저온 조건에서 구현합니다. 스크린 프린팅으로 정류 및 옴믹 접촉을 선택적으로 형성하여 추가 열처리나 식각 후공정을 최소화하고, 대면적 집적 관점에서 단일 공정 내 다중 소자 아키텍처를 배치합니다. 이를 통해 β-Ga2O3 계면의 전하 수송과 장벽 형성 특성을 제어하는 기반을 마련하며, 이종게이트 융합형 스위칭 소자 기술로 연결합니다.
관련 연구 성과
관련 논문
1편
관련 특허
0건
관련 프로젝트
1건
연구 흐름
초기에는 β-Ga2O3에서 기존 금속화 방식의 접촉 문제를 식별하고, EGaIn 유체금속을 활용한 저온 접촉 형성 전략을 확립하는 데 집중했습니다. 이후 정류 접촉과 옴믹 접촉을 선택적으로 형성할 수 있는 패터닝 조건을 구체화하고, Schottky diode 및 MESFET로 확장하여 스위칭/정류 동작 특성을 검증했습니다. 최근에는 대면적 Ga2O3 반도체 채널과 이종게이트 융합형 구조를 결합하는 과제 수행을 통해 저전력·고신뢰 스위칭 기술로 연결하는 연구를 진행하고 있습니다.
활용 가능성
활용 가능성은 알앤디써클 특화 AI 에이전트가 생성한 내용으로, 실제 연구 가능 여부는 연구실과의 논의가 필요합니다.
관련 논문
구분
제목
Versatile Contact Engineering on β‐Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> Using EGaIn for Schottky Diodes and MESFET Applications
관련 프로젝트
구분
제목
대면적 Ga2O3 반도체 채널을 이용한 초고성능, 초저전력 상하부 이종게이트 융합형 스위칭 소자기술 개발