), 히스테리시스 폭이 무시할 만한 수준(<0.5 mV), 그리고 거의 이상적인 문턱하 기울기(SS)(60 mV/dec)를 보여, 저전력 스위칭 동작에 적합하다. 또한 우리는 낮은 공급 전압(0.5 V)에서 J-MISFET의 스위치 가능한 NAND/NOR 논리 게이트 동작과 광응답 특성을 조사하였다. 응용을 한층 더 발전시키기 위해, 암호화된 데이터용 2개의 전기적 입력과 비밀번호 키를 위한 1개의 포토닉 입력으로 구성된 통합 광전자 보안 논리 시스템을 성공적으로 시연하였으며, 이는 데이터 보호를 위한 하드웨어 보안 장치이다. 따라서, 이기종 하이브리드 게이트 구조를 갖는 우리의 J-MISFET은 데이터 기반 사회에서 차세대 저전력 전자소자 및 다기능 보안 논리 시스템을 위한 미래 소자 구성을 향한 길을 비출 것이라 생각한다.

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