산화물 박막 트랜지스터(TFT)로 구성된 커패시터리스 2트랜지스터(2T0C) 동적 랜덤 액세스 메모리(DRAM) 셀은 저전력 및 고밀도 DRAM 셀로서의 가능성을 보이지만, 이러한 셀을 이용한 곱셈-누산(MAC) 연산은 아직 구현되지 않았다. 본 연구에서는 MAC 연산을 위한 비정질 인듐-주석-갈륨-아연 산화물 TFT로 구성된 2T0C DRAM 셀을 제작하였다. 2T0C DRAM 셀에서 한 트랜지스터는 기록 트랜지스터로, 다른 트랜지스터는 판독 트랜지스터로 동작하며, 그 게이트 커패시턴스는 데이터 저장 커패시턴스에 해당한다. 이들 셀은 TFT의 극도로 낮은 누설 전류(1.11 × 10 −18 A µm −1 )로 인해 기존 DRAM 셀에 비해 10 4배 더 긴 1000 s의 보유 시간을 가진다. 이들 셀은 입력과 출력 사이에 비례 관계가 존재하는 시냅스 소자에 대한 원래 조건을 만족한다. MAC 연산은 두 개의 셀을 사용하여 수행된다. 본 연구는 인공 신경망에서 산화물 TFT의 유용성을 입증한다.

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