본 논문에서는 실리콘 트랜지스터를 기반으로 하는 새로운 재구성 가능 로직-인-메모리(reconfigurable logic-in-memory)를 제안한다. 실리콘 트랜지스터는 게이트 입력의 극성(polarity)을 제어함으로써 p- 또는 n-스위치형 메모리로 재구성될 수 있다. 이러한 전기적 특성은 양의 피드백 루프에서 정공 또는 전자를 주요 전하 운반자로 활용함으로써 구현된다. 동일한 셀(실리콘 트랜지스터와 부하 저항을 포함)로 구성하여 NOT 및 YES 게이트의 재구성 가능 로직-인-메모리 기능을 시연한다. 또한 두 개의 실리콘 트랜지스터와 부하 저항을 기반으로 하는 2-입력 재구성 가능 로직-인-메모리 셀이 음의 AND 및 OR 게이트로 기능함이 밝혀졌다. 이 새로운 재구성 가능 로직-인-메모리 기술은 차세대 저전력 및 고성능 컴퓨팅의 개발을 촉진할 수 있다.

*본 초록은 AI를 통해 원문을 번역한 내용입니다. 정확한 내용은 하기 원문에서 확인해주세요.