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구성원
Article|
인용수 7
·2024
Binary and ternary logic-in-memory using nanosheet feedback field-effect transistors with triple-gated structure
Jongseong Han, Jaemin Son, Seungho Ryu, Kyoungah Cho, Sangsig Kim
IF 3.9 (2024) Scientific Reports
초록

NS FBFET으로 구성된 논리 회로는 각 회로에서 인버터 및 NAND, NOR 게이트의 이진 및 삼진 논리 연산을 수행하며, 제로 바이어스 조건에서 그 출력값을 저장한다. 따라서 NS FBFET은 차세대 LIM을 위한 유망한 구성요소이다.

*본 초록은 AI를 통해 원문을 번역한 내용입니다. 정확한 내용은 하기 원문에서 확인해주세요.

키워드
NAND gateLogic gateTernary operationNanosheetPass transistor logicTransistorComputer sciencePolarity (international relations)Binary numberNOR logic
타입
Article
IF / 인용수
3.9 / 7
게재 연도
2024