Nanoscale Semiconductor Lab
반도체학과
김용
Nanoscale Semiconductor Lab(나노스케일 반도체 연구실)은 III-V, IV-IV, II-VI 계열의 나노와이어 및 다양한 반도체 나노구조의 성장, 특성 분석, 그리고 소자 응용에 중점을 두고 있는 연구실입니다. 본 연구실은 증기-액체-고체(VLS) 메커니즘, 금속 유기 화학 기상 증착(MOCVD), 물리적 기상 수송(PVT), 이온빔 스퍼터링, 급속 열처리 화학 기상 증착(RTCVD) 등 첨단 성장 기술을 활용하여, 다양한 촉매와 성장 조건을 정밀하게 제어함으로써 고품질의 나노와이어 및 양자구조를 제작합니다.
연구실에서는 성장된 나노와이어, 양자점, 양자선, 양자우물 등 다양한 양자구조의 구조적, 광학적, 전기적 특성을 다각적으로 분석합니다. 이를 위해 고해상도 전자현미경, X-선 회절, 광발광(PL), 딥 레벨 트랜지언트 분광(DLTS), 캐패시턴스-전압(C-V), 전류-전압(I-V) 측정 등 다양한 첨단 분석 장비를 보유하고 있으며, 실험 결과를 바탕으로 성장 메커니즘 및 물리 현상을 심도 있게 규명합니다.
이러한 연구는 차세대 광전자 소자, 단일전자 소자, 양자점 레이저 다이오드, 고효율 태양전지, 고밀도 메모리 소자 등 첨단 반도체 소자 개발에 직접적으로 연결됩니다. 또한, 웨이퍼 융합(wafer fusion), 급속 열처리, 이온빔 보조 증착 등 다양한 공정 기술을 접목하여 새로운 소자 구조 및 집적화 기술을 개발하고 있습니다.
연구실은 반도체 박막 및 나노결정의 성장과 특성 평가, 결함 제어, 도핑 및 계면 엔지니어링 등 반도체 물리의 근본적인 이해를 바탕으로, 새로운 소재 및 구조의 개발에 앞장서고 있습니다. 이를 통해 고성능, 고신뢰성의 반도체 소자 구현에 필요한 기반 기술을 제공하며, 미래 정보통신, 광통신, 양자컴퓨팅 등 다양한 분야에서 혁신적인 기술 발전을 이끌고 있습니다.
Nanoscale Semiconductor Lab은 국내외 다양한 연구기관 및 산업체와의 협력을 통해, 반도체 나노구조 및 소자 분야에서 세계적인 연구 경쟁력을 확보하고 있습니다. 지속적인 연구개발과 인재 양성을 통해, 반도체 과학 및 기술의 발전에 크게 기여하고 있습니다.
III-V 및 II-VI 나노와이어 성장 및 특성 분석
본 연구실은 III-V, IV-IV, II-VI 계열의 나노와이어를 증기-액체-고체(VLS) 메커니즘을 이용하여 성장시키는 기술을 중점적으로 연구하고 있습니다. 이 과정에서 다양한 촉매와 성장 조건을 조절하여 나노와이어의 형태, 결정 구조, 그리고 조성을 정밀하게 제어할 수 있습니다. 특히, 저융점 합금 촉매를 활용한 성장 조절, 복합촉매 및 polytypism 조절을 통한 이종접합 및 계층 구조 나노와이어의 제작에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있습니다.
이러한 나노와이어의 성장 과정에서는 금속 유기 화학 기상 증착(MOCVD), 물리적 기상 수송(PVT), 이온빔 스퍼터링, 급속 열처리 화학 기상 증착(RTCVD) 등 다양한 첨단 증착 및 성장 기술이 활용됩니다. 성장된 나노와이어는 고해상도 전자현미경, X-선 회절, 광발광(PL), 딥 레벨 트랜지언트 분광(DLTS), 전기적 특성 측정 등 다양한 분석 장비를 통해 결정 구조, 결함, 조성, 광학적 및 전기적 특성을 정밀하게 평가합니다.
이러한 연구는 차세대 광전자 소자, 단일전자 소자, 양자점 레이저 다이오드, 고효율 태양전지 등 다양한 응용 분야에 직접적으로 연결됩니다. 나노와이어의 성장 메커니즘과 특성 분석을 통해 새로운 물리 현상을 규명하고, 고성능 반도체 소자 개발에 기여하고 있습니다.
양자구조(양자점, 양자우물, 양자선) 성장 및 소자 응용
연구실에서는 금속 유기 화학 기상 증착(MOCVD) 및 다양한 성장 기법을 이용하여 양자점, 양자우물, 양자선 등 다양한 양자구조를 성장시키고, 이들의 특성을 분석하는 연구를 수행하고 있습니다. 특히, 자기 조립 양자점(self-assembled quantum dot), 양자선(quantum wire), 양자우물(quantum well) 구조의 성장 및 이종접합 구조의 제작에 대한 연구가 두드러집니다. 성장된 양자구조는 광발광, 전기적 특성, 결함 분석 등 다양한 방법으로 평가되며, 구조적·광학적 특성의 상관관계를 규명합니다.
이러한 양자구조는 단일전자 소자, 양자점 레이저, 고밀도 메모리 소자, 차세대 광전자 소자 등 첨단 반도체 소자에 응용될 수 있습니다. 연구실에서는 양자구조의 성장 조건, 계면 특성, 결함 제어, 밴드갭 엔지니어링 등을 통해 소자 성능을 극대화하는 방법을 모색하고 있습니다. 또한, 웨이퍼 융합(wafer fusion) 기술, 급속 열처리, 이온빔 보조 증착 등 다양한 공정 기술을 접목하여 새로운 소자 구조를 개발하고 있습니다.
이러한 연구는 양자구조 기반 소자의 상용화와 집적화에 중요한 기초를 제공하며, 미래 정보통신, 광통신, 양자컴퓨팅 등 다양한 분야에서 혁신적인 기술 발전을 이끌고 있습니다.
반도체 박막 및 나노결정의 물리적·광학적 특성 평가
본 연구실은 반도체 박막 및 나노결정의 성장과 더불어, 이들의 물리적·광학적 특성 평가에도 중점을 두고 있습니다. 박막 성장에는 플라즈마 보강 화학 기상 증착(PECVD), 이온빔 어시스트 증착(IBAD), 분자빔 증착(MBD) 등 다양한 방법이 활용되며, 성장된 박막 및 나노결정의 구조적, 전기적, 광학적 특성을 정밀하게 분석합니다. 특히, 광발광(PL), 라만 분광, 딥 레벨 트랜지언트 분광(DLTS), 캐패시턴스-전압(C-V), 전류-전압(I-V) 측정 등 다양한 첨단 분석 장비를 활용하여, 결함, 도핑, 계면 특성, 밴드 구조 등을 규명합니다.
이러한 특성 평가를 통해 박막 및 나노결정의 성장 메커니즘을 이해하고, 최적의 성장 조건을 도출하여 소자 성능을 극대화할 수 있습니다. 또한, 산화물, 질화물, 실리콘 나노결정 등 다양한 소재의 박막 및 나노구조에 대한 연구도 병행하여, 차세대 메모리, 광센서, 고효율 발광 소자 등 다양한 응용 분야에 적용하고 있습니다.
이와 같은 연구는 반도체 물리의 근본적인 이해를 바탕으로, 새로운 소재 및 구조의 개발, 그리고 고성능 반도체 소자 구현에 필수적인 기반 기술을 제공하고 있습니다.
1
Facile Synthesis of One-Dimensional van der Waals SbPS4 Nanostructures via Vapor Transport and Negative Thermal Quenching in Photoluminescence
A. N. Izziyah, S. H. Oh, Yong Kim
Cryst. Growth Des., 2023
2
Growth of quasi-1 dimensional (Bi1-xSbx)2S3 nanowires on fluorine-doped tin oxide glass substrate by vapor transport
S. H. Oh, A. N. Izziyah, Yong Kim
Nanotechnology, 2023
3
Cubic ZnP2 nanowire growth catalysed by bismuth.
S. H. Oh, Yong Kim
CrystEngComm, 2021
1
[5차년도]복합촉매와 polytypism 조절에 의한 헤테로구조 나노나선 성장
2
[4차년도]복합촉매와 polytypism 조절에 의한 헤테로구조 나노나선 성장
3
[3차년도]복합촉매와 polytypism 조절에 의한 헤테로구조 나노나선 성장