Sn에 의해 촉매화된 CdTe 나노와이어의 성장은 물리기상수송(physical vapor transport)으로 불소 도핑된 주석 산화물(fluorine-doped tin oxide) 유리 위에서 달성되었다. CdTe 나노와이어는 290 °C에서 〈0001〉 방향으로 성장하였으며, 매우 희귀하고 상(phase)이 순수한 벌르츠바이트(wurtzite) 구조를 보였다. CdTe 나노와이어는 촉매 내에서 SnTe 나노구조를 형성함으로써 Te-제한 조건에서 성장하였고, 벌르츠바이트 구조가 에너지적으로 유리하였다. 개별 나노와이어에 대한 편광 의존 및 여기광 세기(power) 의존 미세 광발광(micro-photoluminescence) 측정으로 무거운 정공(heavy hole) 및 가벼운 정공(light hole) 관련 천이들을 구별할 수 있었으며, 상온에서의 벌르츠바이트 CdTe의 기본 밴드갭은 1.562 eV로 결정되었고, 이는 아연섬아연혼합형(zinc-blende) CdTe의 밴드갭보다 52 meV 더 높았다. 쌍둥이쌍극자(doublet) 광발광 스펙트럼의 분석을 통해 무거운 정공과 가벼운 정공 밴드 간의 분리 에너지는 43 meV로 추정되었다.
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