ZnTe 나노트리와 나노와이어는 물리 기상 수송(physical vapor transport)으로 불소 도핑된 산화주석(fluorine-doped tin oxide) 유리 위에서 성장시켰다. 불소 도핑된 산화주석 층에서 유래한 Sn이 320 °C의 성장 온도에서 촉매 역할을 하여 성장을 유도하였다. 줄기(stem) 및 가지(branch) 나노와이어 모두 드물게 관측되는 워츠자이트(wurtzite) 구조에서 ⟨0001⟩ 방향으로 성장하였다. 액체 촉매에서는 SnTe 나노구조가 형성되었고, 동시에 Te 제한 조건에서 ZnTe 나노와이어가 성장하여, 워츠자이트 구조의 형성이 에너지적으로 유리해졌다. 실온에서 개별 워츠자이트 ZnTe 나노와이어에 대해 편광 의존 및 출력 의존 미세 광발광(microphotoluminescence) 측정을 수행함으로써, 지금까지 알려지지 않았던 워츠자이트 ZnTe의 기본 밴드갭을 규명할 수 있었으며, 이는 2.297 eV로 아연-블렌드(zinc-blend) ZnTe의 밴드갭보다 37 meV 높았다. 쌍상(doublet) 광발광 스펙트럼의 분석을 통해 중공(heavy hole) 밴드와 경공(light hole) 밴드 사이의 정공 밴드 분열 에너지는 69 meV로 추정된다.

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