본 논문에서는 단일 종단(single-ended) 임계전압 보상(threshold-voltage compensated) CMOS RF-dc 정류기에서 nMOS-pMOS(NP)형 셀을 nMOS-nMOS(NN)형 또는 pMOS-pMOS(PP)형 셀 대신 사용하는 것의 장점을 간략히 논의한다. NP형 셀을 채택함으로써, 기생(para sitic) 긴 도선(interconnection) 배선의 커패시턴스, 딥 N-웰에서 P-웰로의 P-substrate 접합 커패시턴스, 그리고 추가 바디 효과(body effect)로 인해 생성된 출력 dc 전압이 저하되는 문제를 회피할 수 있다. 비교를 위해, 28-nm 1P11M CMOS 공정에서 두 개의 RF-dc 정류기를 구현하였다. 측정 결과, NP형 셀이 적용된 구현된 RF-dc 정류기는 입력 전력 감도에서 0.7-dB 더 높은 성능을 달성하였으며, NN형 셀이 적용된 다른 정류기보다 더 빠른 재충전 시간을 보였다.
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